BeH+光譜結(jié)構(gòu)計算和Be-X+(X=H,D,T)碰撞輻射過程理論研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、分子結(jié)構(gòu)光譜和離子-原子碰撞過程的研究具有廣泛的應(yīng)用背景。在天體物理研究中,可以通過分子光譜來分析天體環(huán)境中元素的種類和豐度。在磁約束聚變研究中,聚變裝置的邊區(qū)和偏濾器區(qū)等離子體中存在大量的原子分子過程,這些過程的散射截面和反應(yīng)速率系數(shù)等,是等離子體理論模擬所必需的重要參數(shù),對邊區(qū)和偏慮器區(qū)等離子體的粒子和能量輸運(yùn)、等離子性質(zhì)的診斷等具有重要意義。
  BeH+分子不僅在恒星大氣和星際介質(zhì)等天體環(huán)境中廣泛存在,同時也廣泛存在于磁約

2、束聚變裝置的邊區(qū)和偏濾器區(qū)等離子體中。鑒于BeH+體系的重要研究價值,本文主要研究了BeH+分子結(jié)構(gòu)、吸收光譜和Be同H+及其同位素(D+,T+)的碰撞輻射過程。主要工作如下:
  1、BeH+分子低激發(fā)態(tài)結(jié)構(gòu)和光譜計算。采用多參考組態(tài)相互作用(MRDCI)方法,計算了BeH+分子的最低的4個自旋單重態(tài)的絕熱勢能曲線和波函數(shù),包括3個1∑+和1個1Π電子態(tài)。在此基礎(chǔ)上,計算得到每個電子態(tài)對應(yīng)的振轉(zhuǎn)能級和波函數(shù)、不同電子態(tài)之間的電偶

3、極躍遷矩和Einstein系數(shù)。利用BeH+分子結(jié)構(gòu)參數(shù),計算了不同溫度條件下BeH+的不透明度,并計算了溫度T=100 K-40000 K范圍內(nèi)BeH+分子的配分函數(shù)。
  2、Be同H+及其同位素(D+,T+)碰撞輻射過程研究。利用上述計算得到的BeH+分子結(jié)構(gòu)參數(shù),采用全量子的光學(xué)勢方法,研究了Be-H+碰撞輻射過程。在能量區(qū)間10-8 eV/u-10-1 eV/u,計算從Be(2s2)+ H+態(tài)到能量最低的3個電子態(tài)之間的

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