導(dǎo)納譜應(yīng)用于測量半導(dǎo)體中淺能極的研究.pdf

1、本文重點研究如何利用導(dǎo)納譜測量半導(dǎo)體中的淺能級。
　　 第一部分主要研究與分析利用導(dǎo)納譜測量半導(dǎo)體中淺能級的理論模擬計算。導(dǎo)納譜是一種很強(qiáng)大的電學(xué)測量方法,在77K-300K溫度范圍內(nèi),通常被運用于測量半導(dǎo)體中的深能級,但是在利用導(dǎo)納譜測量淺能級方面至今沒有很系統(tǒng)的研究。本文的目的就是想通過淺能級導(dǎo)納譜曲線的理論模擬,確定一種分析淺能級的最佳方法。在理論模擬中,所采用的統(tǒng)一模型中同時考慮了肖特基勢壘電容和襯底電阻的變化對導(dǎo)納譜的

2、貢獻(xiàn)。最后,通過分析理論模擬的曲線,確定了ωr=A·exp(-Ea/k0T)(A是一個與溫度無關(guān)的常數(shù))為最佳的分析方法,同時對于硼和磷的實驗數(shù)據(jù)的計算分析也表明了這種方法的正確性。
　　 第二部分重點研究了利用導(dǎo)納譜測量半導(dǎo)體中淺能級的塞曼效應(yīng)。以往,半導(dǎo)體中淺能級的塞曼效應(yīng)基本上都是靠光學(xué)方法測量的,而且光學(xué)方法測量的也只是基態(tài)能級和激發(fā)態(tài)能級之間的躍遷,而利用光學(xué)測量基態(tài)能級與價帶之間的躍遷比較麻煩,同時要求測量溫度很低,