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1、本論文綜述了硬質(zhì)薄膜、CrN系復(fù)合薄膜及DLC薄膜的研究進(jìn)展。利用中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)制備了CrN薄膜、CrTiN與CrAlN合金復(fù)合薄膜及CrSiN與CrBN納米復(fù)合薄膜與Al-DLC薄膜,并研究了其制備條件、成分、結(jié)構(gòu)與機(jī)械性能之間的關(guān)系。研究結(jié)果表明: 1.采用中頻反應(yīng)磁控濺射制備出CrNx薄膜,薄膜的結(jié)構(gòu)從Cr、Cr2N、無(wú)定形、直到CrN多種結(jié)晶形態(tài)的變化,且所制備的薄膜晶粒細(xì)小致密、表面平整。 2.CrTiN
2、與CrAlN薄膜中Ti與Al均以置換方式固溶于CrN中,取代了一部分Cr原子,形成固溶合金復(fù)合薄膜。復(fù)合薄膜的機(jī)械性能均有不同程度的提高,Ti含量為31.75%的CrTiN薄膜摩擦系數(shù)很低,磨損率也較低,具有較好的抗磨損性能;CrAlN薄膜雖然沒(méi)有明顯的減摩潤(rùn)滑作用,但具有很低的磨損率。 3.CrSiN與CrBN復(fù)合薄膜為納米晶/非晶復(fù)合結(jié)構(gòu),其中CrN均為納米晶,而薄膜中的Si與B均以非晶的氮化物形式存在于CrN晶粒的粒界中;
3、隨著薄膜中的Si與B含量的增大,薄膜中的晶粒逐漸細(xì)化,直至為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。復(fù)合薄膜的機(jī)械性能均有不同程度的提高,B含量為6.1%的CrBN復(fù)合薄膜硬度達(dá)到極大,同時(shí)薄膜的磨損率最低,約為CrN薄膜的1/3;Si含量為12.6%與36.8%的CrSiN復(fù)合薄膜的硬度分別達(dá)到極大,CrSiN納米復(fù)合薄膜的磨損率均遠(yuǎn)低于CrN薄膜,具有很好的抗磨損性能。 4.在單晶硅片表面成功制備了表面致密光滑、低應(yīng)力、高硬度且與基底結(jié)合良好的Al-D
4、LC薄膜,考察了基底偏壓與甲烷流量對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)及性能影響。隨著基底偏壓的增大,薄膜中的氫含量與內(nèi)應(yīng)力(從~1 GPa降低到~0.4GPa)逐漸降低,但薄膜的sp2/sp3的比例與硬度(20GPa左右)均沒(méi)有明顯的變化。甲烷流量較低時(shí)制備的薄膜鋁含量高且具有金屬特性,如表面粗糙、硬度低、摩擦系數(shù)較高;而在甲烷流量較高時(shí)制備的薄膜碳含量高具有典型的DLC的性能,如表面光滑、硬度較高、摩擦系數(shù)較低。所制備的Al-DLC薄膜具有優(yōu)異的抗磨減摩性
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