介孔二氧化硅的制備及機理的原位熱化學研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、有序介孔材料是指孔徑在2 nm-50 nm之間(通常指1.5 nm-50 nm),孔道在空間排列有序的多孔材料,它的制備是以表面活性劑的自組裝體系為模板來完成的。介孔材料因具有大而均一的孔道、高比表面積及相對良好的穩(wěn)定性而在許多領域,如催化劑與催化劑載體、吸附與分離、環(huán)境保護、主客體化學、仿生和其它功能材料領域得到廣泛應用。 介孔材料的合成反應過程是很復雜的,對介孔材料的制備中所涉及到的有關機理研究較少,對其解釋的還不夠全面和深

2、入。本論文在文獻調研的基礎上,采用熱化學的方法對其進行原位研究,根據(jù)實驗所得的p-t曲線制備中間產(chǎn)物,并對其進行了小角X-射線衍射(SXRD)、掃面電子顯微鏡(SEM)、N2吸附-脫附等技術表征,探討SiO2介孔材料的形成機理。同時,在實驗室原有的研究基礎上,利用探索的最佳實驗條件,在開展新的合成體系與合成路線方面作了嘗試。即利用PAM和CTAB以及β-CD和DTAB、TTAB自組裝形成的超分子模板合成了介孔材料。主要工作如下:

3、 1.用PAM和CTAB組成的超分子為模板,在65℃下,水浴4 h的條件下制備介孔二氧化硅。發(fā)現(xiàn)加入少量PAM,樣品的有序性變好,孔道中心之間的距離a0增加。棒狀顆粒隨PAM濃度增加長度和直徑都變小。當PAM濃度增加至一定濃度時,出現(xiàn)團聚現(xiàn)象。 2.分別用DTAB、TTAB和β-CD組成的超分子結構為模板,65℃下,水浴4 h的條件下制備介孔二氧化硅材料。結合師姐研究結果研究不同長度的烷基鏈和β-CD的包和情況,得出了如下結論:

4、DTAB能與β-CD形成1:1的包合物;而TTAB與β-CD能形成1:1和1:2兩種包合物。且β-CD的加入有利于生成球形顆粒,但是濃度過大時,樣品變得無規(guī)則。 3.介孔材料的合成是分步進行的,不同的反應過程能量差別較大,隨時間的增加,樣品的形貌變化不大,但是比表面積,壁厚,孔徑有相應的變化。根據(jù)p-t曲線及中間產(chǎn)物的SXRD、N2吸附-脫附、SEM、TEM和TG結果的分析,我們認為介孔二氧化硅的合成過程不能用統(tǒng)一的機理來簡單概

5、括,不同的反應體系中由于具體的反應條件不同,反應的機理也不盡相同。但是在介孔材料的形成過程中至少包含2個過程,一是表面活性劑與加入的無機離子自組裝過程,無機離子和有機表面活性劑之間的主要相互作用力為靜電作用。二是硅酸鹽的進一步水解和縮合。在界面區(qū)域硅酸鹽陰離子聚合改變了無機層的電荷密度,使表面活性劑之間的相互作用大小發(fā)生變化,該變化有可能導致新的液相的產(chǎn)生。但是新液相的產(chǎn)生不是必然的,它受無機層的電荷密度,無機物種和有機表面活性劑之間的

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