工藝參數(shù)對(duì)鋁電解電容器用陽(yáng)極鋁箔作用的研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代科技飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)轉(zhuǎn)向小型化、集成化。在此影響下，鋁電解電容器需在保證性能的基礎(chǔ)上，盡可能將體積減小。而鋁電解電容器小型化技術(shù)的重點(diǎn)之一便是陽(yáng)極箔，正是此次課題的關(guān)鍵點(diǎn)。
　　文中結(jié)合了目前國(guó)內(nèi)外電解電容器用鋁箔擴(kuò)面腐蝕技術(shù)研究現(xiàn)狀及發(fā)展前景，選擇在無(wú)機(jī)混合酸體系中通過(guò)直流電解法對(duì)高純鋁箔進(jìn)行擴(kuò)面腐蝕，探究了陽(yáng)極箔擴(kuò)面腐蝕相關(guān)工藝，并就緩蝕劑對(duì)相關(guān)擴(kuò)孔腐蝕的影響進(jìn)行了對(duì)比分析，探究了雙氫氧化物修飾下的鋁箔電化學(xué)

2、性能不僅僅要擴(kuò)大蝕箔比表面積、增加比電容，還要防止鋁箔過(guò)度腐蝕保證其機(jī)械性能。
　　文中將鋁箔直流電化學(xué)腐蝕過(guò)程劃分為發(fā)孔腐蝕以及擴(kuò)孔腐蝕兩個(gè)步驟，通過(guò)單因子變量法優(yōu)化了兩個(gè)階段相關(guān)工藝參數(shù)，初步確認(rèn)發(fā)孔腐蝕階段工藝條件：腐蝕液為HCl與H2SO4混合液，其中HCl濃度為1 mol/L、H2SO4濃度為1 mol/L，發(fā)孔溶液溫度在60℃左右，發(fā)孔電流密度為350 mA/cm2，腐蝕時(shí)間90 s。擴(kuò)孔腐蝕階段工藝條件：擴(kuò)孔腐蝕溶液

3、為2 mol/L鹽酸溶液，腐蝕時(shí)間150 s，腐蝕電流密度為150 mA/cm2。
　　確定腐蝕工藝參數(shù)后，針對(duì)緩蝕劑在擴(kuò)孔腐蝕過(guò)程中的影響進(jìn)行了對(duì)比分析。緩蝕劑的適量添加，使微孔分布更為均勻，緩解過(guò)度腐蝕、并孔等現(xiàn)象，一方面保證了鋁箔表面的蝕孔密度，另一方面降低了鋁箔失重。此次試驗(yàn)主要研究了聚乙二醇、乙二醇、乙醇胺類緩蝕劑對(duì)比電容的影響，并進(jìn)行了對(duì)比分析。與未添加緩蝕劑的情況相比，緩解了過(guò)度腐蝕、降低失重，蝕孔尺寸相對(duì)統(tǒng)一、分布