高真空金屬單晶體生長爐設(shè)計與研究.pdf

1、近年來，隨著信息科技的發(fā)展，電線電纜的傳輸導(dǎo)線也不斷的發(fā)展，其用量不斷的增多，而且對其性能要求也越來越高。單晶體銅由于具有較強消除橫向晶界的能力，并且擁有良好的保真性能和塑性，所以是作為超細(xì)高保真材料的首選材料。高真空固態(tài)相變法金屬單晶體生長爐的主要作用是：將銅試件從高溫的固態(tài)相緩慢而均勻的相變到低溫固態(tài)相，從而獲得低溫固態(tài)相的金屬單晶銅。因此，金屬單晶體生長爐內(nèi)的溫度梯度和銅試件的移動速度是設(shè)計單晶體生長爐的技術(shù)關(guān)鍵點。
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2、先，本文對高真空金屬單晶體生長爐進行了整體的結(jié)構(gòu)設(shè)計。該設(shè)計包括生長爐膛結(jié)構(gòu)設(shè)計、試件移動機構(gòu)設(shè)計和真空室設(shè)計三大部分。在單晶體生長爐的爐膛結(jié)構(gòu)設(shè)計中，提出了爐膛的保溫層采用4層鉬和4層不銹鋼的結(jié)構(gòu)。在試件移動機構(gòu)的設(shè)計中，采用螺旋傳動來實現(xiàn)試件垂直方向上的往復(fù)直線移動。根據(jù)真空容器的穩(wěn)態(tài)條件計算了真空室的厚度，并確定真空室的材料、冷卻方式和結(jié)構(gòu)形式。
　　其次，應(yīng)用有限元軟件中的熱分析模塊，對生長爐的爐膛進行熱分析。建立生長爐的