基于電流體直寫掩膜的晶體管制備與表征.pdf

1、有機(jī)薄膜晶體管陣列的制造是柔性電子制造的核心，影響其性能的關(guān)鍵參數(shù)是溝道長度。針對光刻工藝制備晶體管溝道存在步驟復(fù)雜、成本高、不兼容有機(jī)材料，噴印工藝存在分辨率低、無法制備精細(xì)溝道等缺點(diǎn)，本文利用電流體直寫工藝制備了精細(xì)溝道，并以此為基礎(chǔ)制備了有機(jī)薄膜晶體管，主要研究工作如下：
　　1）研究了近場條件下的電流體直寫掩膜工藝，揭示了工藝參數(shù)（工作電壓 V、噴射高度H和收集板速度US）對泰勒錐、射流飛行狀態(tài)及纖維形貌的作用規(guī)律，得到適

2、合大面積掩膜制備的工藝參數(shù)并打印出了大面積晶體管溝道掩膜。
　　2）提出了利用電流體直寫纖維制備晶體管溝道的工藝方案，研究了磁控濺射過程對電流體直寫纖維的形貌影響規(guī)律，揭示了掩膜纖維寬度與溝道長度的映射規(guī)律，制備出了大面積均勻的平形溝道及十字形溝道陣列。
　　3）設(shè)計(jì)了基于電流體直寫掩膜的晶體管制備方案（晶體管結(jié)構(gòu)、材料及工藝流程）。通過絕緣層表面修飾改善了半導(dǎo)體薄膜質(zhì)量，系統(tǒng)研究了溝道長度、寬度、聚3-己基噻吩的退火時(shí)間、