薄膜晶體管制備技術(shù)研究.pdf

1、高質(zhì)量的平板顯示器件的核心是薄膜晶體管（Thin film transistor，TFT）陣列的性能和制備技術(shù)。本文以研制出具有實用特性的TFT為目標，從掌握TFT制備技術(shù)出發(fā)，結(jié)合現(xiàn)有的實驗條件，圍繞TFT的有源層材料，在TFT的制備工藝和測試等方面開展了工作。
　　 首先，研究了a-Si：H TFT的制備工藝。在玻璃和Kapton E塑料基底上分別制備了單個a-Si：H TFT及其陣列，所制備的 TF工具有以下性能：關(guān)態(tài)電流

2、Ioff≈1×10-14A，開態(tài)電流Ion≈1×10-9A，閾值電壓Vth≈5 V，遷移率μ≈0.1c㎡/（V.s），亞閾值斜率S≈4 V/dec。
　　 其次，研究了a-IGZO TFT的制備工藝。系統(tǒng)研究了退火、絕緣層、氧空位、保護層和N摻入量等制備工藝對a-IGZO TFT性能的影響。在硅片基底上制備了以下性能的單個a-IGZOTFT：Ion～10-3 A，Ion/Ioff～106，Vth～0V，S～0.8 V/dec，μ