一種1200V場截止型IGBT的優(yōu)化設(shè)計與測試.pdf

1、隨著國內(nèi)經(jīng)濟(jì)的高速增長，新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，能源也必須獲得更高效的利用。因此需要對現(xiàn)有的功率器件進(jìn)行改進(jìn)，從而降低器件自身能耗，使得能源消耗減少。而絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）作為一種擁有高耐壓，低導(dǎo)通壓降等優(yōu)良電學(xué)特性的功率器件，在電力電子領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，擁有廣闊的應(yīng)用前景。然而由于國內(nèi)目前比較欠缺新一代IGBT技術(shù)（如場截止技術(shù)，溝槽柵技術(shù)），導(dǎo)致在很多關(guān)乎到國計民生的領(lǐng)域中受制于人，亟需IGBT技術(shù)的國產(chǎn)化?；诖?，對I

2、GBT場截止技術(shù)的研究有著重大意義。而針對IGBT的場截止技術(shù)的研究，本文重點探討場截止層的濃度分布，其主要內(nèi)容為：
　　1.簡單概述IGBT的基本理論以及各項新技術(shù)的發(fā)展：如場截止技術(shù)，載流子存儲技術(shù)，注入增強(qiáng)技術(shù)等，并重點分析場截止技術(shù)中器件結(jié)構(gòu)參數(shù)對性能的影響，從而對器件的優(yōu)化進(jìn)行理論指導(dǎo)。
　　2.為了確定器件的正面結(jié)構(gòu)，先在現(xiàn)有的工藝條件下，確定了工藝流程。接下來利用仿真軟件Sentaurus TCAD進(jìn)行了120

3、0VNPT-IGBT的工藝建模并進(jìn)行電學(xué)參數(shù)特性模擬以便優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)的正面參數(shù)并作為對比對象與后續(xù)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行對比。
　　3.在已經(jīng)確定的正面工藝模型的基礎(chǔ)上，通過模擬場截止（FS）層的濃度分布（雙峰分布）進(jìn)行結(jié)構(gòu)背面建模，并與實際流片測試結(jié)果進(jìn)行比對來驗證建立的模型的準(zhǔn)確性。
　　4.將建立好的 FS-IGBT模型的電學(xué)特性模擬結(jié)果與NPT-IGBT進(jìn)行對比從而便于探討場截止技術(shù)的優(yōu)劣之處以及后續(xù)對工藝流程和參數(shù)的改進(jìn)，為