1200V逆導(dǎo)型Trench FS IGBT的設(shè)計(jì).pdf

1、隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）在電力傳輸領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。逆導(dǎo)型IGBT是一種新型器件，將反向續(xù)流二極管與IGBT集成在同一個(gè)芯片上，相比于傳統(tǒng) IGBT，在成本、封裝體積與可靠性等方面具有較大優(yōu)勢(shì)。我國的半導(dǎo)體電力電子技術(shù)已經(jīng)得到了突飛猛進(jìn)的發(fā)展，然而在逆導(dǎo)型Trench FS IGBT領(lǐng)域的研究尚未開展。因此，掌握逆導(dǎo)型Trench FS IGBT的設(shè)計(jì)與

2、生產(chǎn)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)是至關(guān)重要的。本論文從基礎(chǔ)理論入手，將先進(jìn)的Trench結(jié)構(gòu)與FS結(jié)構(gòu)引入逆導(dǎo)型IGBT，設(shè)計(jì)一款1200V逆導(dǎo)型Trench FS IGBT，并進(jìn)一步提出具有優(yōu)異反向恢復(fù)特性的創(chuàng)新結(jié)構(gòu)。
　　本文主要內(nèi)容如下：
　　1.介紹電力電子器件的發(fā)展趨勢(shì)，分析IGBT技術(shù)變革的特點(diǎn)，對(duì)Trench FS IGBT的電特性進(jìn)行討論，然后進(jìn)一步闡述具有集電極N+短路區(qū)的逆導(dǎo)型Trench FS IGBT的基本理論；

3、>　　2.設(shè)計(jì)一款1200V逆導(dǎo)型Trench FS IGBT是本課題的主要目標(biāo)。在完成器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，確定合理的工藝流程，再利用工藝仿真軟件進(jìn)行擊穿電壓、導(dǎo)通壓降、閾值電壓以及關(guān)斷時(shí)間等關(guān)鍵器件參數(shù)的仿真。完成終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，并制定優(yōu)化的版圖方案。本文完成的1200V逆導(dǎo)型Trench FS IGBT，滿足預(yù)期的設(shè)計(jì)目標(biāo)：擊穿電壓為1438V，導(dǎo)通壓降為1.64V，閾值電壓為4.38V，關(guān)斷時(shí)間為106ns；
　　3.提出