1200V RC Trench IGBT的設(shè)計(jì).pdf

1、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），作為第三代電力電子產(chǎn)品，是當(dāng)前功率半導(dǎo)體中最重要的器件之一。IGBT以其優(yōu)秀的綜合性能廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電機(jī)控制、智能電網(wǎng)等諸多領(lǐng)域。自發(fā)明以來(lái)，小型化、集成化一直是IGBT的一個(gè)重要發(fā)展趨勢(shì)。在很多應(yīng)用場(chǎng)合中，IGBT通常需要反向并聯(lián)一個(gè)二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)續(xù)流，由于處于不同的封裝中，不可避免地引入了寄生電阻、電感等，影響電路性能。單片集成二極管的RC

2、 IGBT可以消除這些寄生參數(shù)的影響，提高器件的可靠性。由于我國(guó)的IGBT起步較晚，制造工藝相對(duì)落后，RC IGBT產(chǎn)品都是如英飛凌、ABB等國(guó)外大公司推出的。國(guó)內(nèi)至今沒(méi)有自主品牌的產(chǎn)品，相關(guān)學(xué)術(shù)研究也非常缺乏。本文基于此，進(jìn)行1200V RC Trench IGBT的設(shè)計(jì)與分析，為進(jìn)一步的研究以及生產(chǎn)制造提供參考。
　　本文主要內(nèi)容如下：
　　1、結(jié)合Trench IGBT理論，對(duì)RC Trench IGBT進(jìn)行介紹，分析

3、其工作原理、Snapback現(xiàn)象、正向阻斷情況以及開(kāi)關(guān)特性。從原理和模型出發(fā)，深入研究影響RC IGBT的Snapback現(xiàn)象的原因并提出解決方案。
　　2、設(shè)計(jì)1200V RC Trench IGBT的工藝流程，通過(guò)增加一張掩膜板來(lái)完成集電極N型區(qū)域的制造。結(jié)合工藝，進(jìn)行RC Trench IGBT的元胞結(jié)構(gòu)、終端結(jié)構(gòu)以及版圖的設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的1200V RC Trench IGBT不存在Snapback現(xiàn)象，擊穿電壓滿足設(shè)計(jì)要求