3D-IC中TSV的冗余布局與可測(cè)性結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法研究.pdf

1、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，集成芯片性能在摩爾定律的指導(dǎo)下不斷提高，尤其是近年來3D集成芯片技術(shù)的出現(xiàn)更是在一定意義上打破了摩爾定律，實(shí)現(xiàn)了更高層次的集成性能。隨著各大半導(dǎo)體公司逐步推出3D芯片系列產(chǎn)品，其測(cè)試方法引起學(xué)術(shù)界的廣泛關(guān)注。尤其是 TSV穿透硅通孔（Through Silicon Via）的出現(xiàn)，更引出了一系列測(cè)試問題，由于其成品率相對(duì)于現(xiàn)有的集成芯片技術(shù)較低，在測(cè)試方面更需要新的手段和技術(shù)。全文結(jié)構(gòu)采用由底層研究向頂層研究的

2、結(jié)構(gòu)，從 TSV的失效機(jī)理入手，研究其失效和修復(fù)，之后著眼于頂層整個(gè)3D-IC的可測(cè)性結(jié)構(gòu)的方向。本文主要介紹了3D集成芯片測(cè)試的一些關(guān)鍵性問題。
　　第一，針對(duì) TSV的失效，研究在制造過程中由于工藝缺陷而造成的各種 TSV失效機(jī)理，針對(duì)失效后 TSV的電學(xué)外特性進(jìn)行 RC電路的故障建模，運(yùn)用Hspice仿真工具模擬典型故障的充放電過程，給出了具體的故障電壓以及發(fā)生故障的位置不同引起的故障電壓偏差。
　　第二，針對(duì) TSV

3、的硬故障設(shè)計(jì) TSV冗余結(jié)構(gòu)，根據(jù)此冗余切換結(jié)構(gòu)的特性進(jìn)行區(qū)塊內(nèi)部的冗余 TSV的數(shù)量分析，修復(fù)率分析以及成品率分析等等。并且在面積開銷及時(shí)間開銷等方面綜合評(píng)價(jià) TSV冗余結(jié)構(gòu)。通過 TSV冗余數(shù)量和修復(fù)率對(duì)冗余結(jié)構(gòu)進(jìn)行綜合分析，芯片成品率與冗余 TSV數(shù)量直接相關(guān)，本文方法在面積和時(shí)間開銷方面均有降低，結(jié)果表明這種 TSV冗余結(jié)構(gòu)能夠覆蓋絕大多數(shù) TSV故障并且將成品率提高到99％，這能夠有效的降低成本。
　　第三，針對(duì)測(cè)試結(jié)構(gòu)