IO電路的總劑量效應(yīng)及最劣偏置分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、集成電路作為航空航天器件的主要組成部分,在外太空中將受到各種輻照效應(yīng)的影響。其中集成電路的重要組成部分IO電路,由于大尺寸、高電壓等特點,成為總劑量效應(yīng)的敏感單元,但國內(nèi)外許多研究機(jī)構(gòu)NASA、ESA等針對地面輻照試驗制定的標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范中,僅要求IO電路處于最劣偏置狀態(tài),而對于IO電路的最劣偏置條件沒有明確的規(guī)定,為此本文的主要目的是介紹IO電路的總劑量效應(yīng)及最劣偏置條件的分析。
　　本文首先分析了深亞微米工藝下MOS器件總劑量效應(yīng)

2、的基本原理,得出總劑量效應(yīng)將使器件的閾值電壓、泄漏電流和亞閾值斜率等參數(shù)發(fā)生退化,可通過泄漏電流的失效來衡量器件受總劑量效應(yīng)影響的程度,然后基于STI工藝下MOS器件泄漏電流的分析,對Ahmed A.Abou-Auf提出的CMOS集成電路泄漏電流失效模型進(jìn)行改進(jìn)得出STI隔離工藝下CMOS集成電路的泄漏電流失效模型,并利用該模型對IO輸出緩沖電路的泄漏電流進(jìn)行了建模仿真分析,得出其最劣偏置條件為(IIN,PIN)=(0,1),(IEN,

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