210V SOI工藝PDP行驅(qū)動(dòng)芯片的ESD防護(hù)設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、近年來(lái)，等離子顯示器PDP由于其出色的顯示效果已經(jīng)成為高清電視等高清顯示設(shè)備的主流產(chǎn)品之一。目前限制PDP顯示設(shè)備普及的主要因素是制造成本過(guò)高，而PDP驅(qū)動(dòng)芯片占整個(gè)設(shè)備造價(jià)的20％左右。因此，保證PDP驅(qū)動(dòng)芯片的可靠性顯得尤其重要，而靜電放電是可靠性的一個(gè)重要因素。本課題的研究任務(wù)是針對(duì)基于SOI工藝的PDP行掃描驅(qū)動(dòng)芯片，研究功率集成電路中的ESD現(xiàn)象，設(shè)計(jì)出實(shí)際可行的ESD保護(hù)方案。
　　本文首先研究了SOI工藝高壓器件在E

2、SD條件下的器件特性和工作性能，主要有高壓二極管、LDNMOS、LIGBT三種高壓器件。然后分別對(duì)上述器件的ESD參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化仿真，以設(shè)計(jì)得到具有更高的ESD能力的結(jié)構(gòu)。在完成器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化后，本文研究了ESD器件的版圖繪制問(wèn)題，對(duì)上述三種器件的版圖給出了優(yōu)化方案
　　最后，我們對(duì)ESD防護(hù)器件和包含全芯片ESD保護(hù)方案的PDP驅(qū)動(dòng)芯片進(jìn)行了流片驗(yàn)證，并對(duì)流片結(jié)果進(jìn)行了TLP測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明器件的開(kāi)啟電壓在TLP測(cè)試條件下相比直

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