基于負載牽引系統(tǒng)的LDMOS功放設(shè)計.pdf

1、在移動通信的基站、數(shù)字發(fā)射機以及軍事技術(shù)領(lǐng)域,高效率、高輸出功率、高增益和高線性度的放大器得到了廣泛的應(yīng)用。一般來說,在大功率的功放設(shè)計流程中,用于仿真設(shè)計的模型是必不可少的。那么,在晶體管的模型無法獲取的情況下,我們該怎么去設(shè)計微波功率放大器?相對于比較流行的利用晶體管模型設(shè)計功放,本文利用實際的負載牽引系統(tǒng),得到了LDMOS功率管不同阻抗點下的輸出功率,增益,效率特性。在保證晶體管穩(wěn)定性的條件下,利用負載牽引系統(tǒng)得到的阻抗點進行了匹

2、配設(shè)計。根據(jù)仿真結(jié)果得到了版圖,并根據(jù)設(shè)計的版圖制作出了功率放大器的實物圖。
　　本文設(shè)計了可用于基站的頻率范圍在925-960MHz的大功率、高增益、高效率的射頻功率放大器。設(shè)計的放大器線性區(qū)增益達到了20dB,P3dB輸出功率180W, P3dB效率大于60％。測試了微波功率放大器在WCDMA調(diào)制方式下的線性度,在輸入信號峰均比7.5dB,平均輸出功率20W的條件下,輸出信號的 ACPR小于-36dBc。
　　大功率晶體

3、管一般采用陶瓷平面封裝的形式,負載牽引測試系統(tǒng)都是同軸接口,為了能夠使用負載牽引系統(tǒng)測量大功率管的各種性能參數(shù),需要設(shè)計專門的測試夾具。由于大功率LDMOS晶體管的最優(yōu)輸入和輸出的阻抗點都非常低,因此還需要保證該夾具具有阻抗變換的功能。
　　同樣的電路結(jié)構(gòu),復(fù)制了5塊,進行了5路 RF HTOL(High Temperature Operating Life)測試。該測試一般用于得到晶體管的MTTF(Mean Time to Fa