2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題（含答案詳解+作文范文）_第1頁(yè)
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1、隨著我國(guó)市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，IC卡得到越來(lái)越廣泛的運(yùn)用?？ㄖ蠩EPROM存儲(chǔ)器的優(yōu)劣深刻影響IC卡的性能。隧道氧化層的退化是引起EEPROM可靠性的主要原因。本文利用MOS電容和浮柵引出的FLOTOX EEPROM單元結(jié)構(gòu)研究了隧道氧化層在恒流應(yīng)力下的退化。研究表明擊穿電荷量QBD與電流密度和電流方向有關(guān)。QBD隨著電流密度的增大而減小，正電流偏置應(yīng)力下的QBD較大。給出了評(píng)價(jià)EEPROM耐久性的QBD測(cè)試方法。當(dāng)QBD>5C/cm2時(shí)，E

2、EPROM擦/寫(xiě)次數(shù)可超過(guò)10萬(wàn)次。柵壓和閾值電壓的變化表明隧道氧化層的退化與注入電荷量Qinj和注入方向有關(guān)。低Qinj下，隧道氧化層中以正電荷俘獲為主；在高Qinj下，以負(fù)電荷的俘獲為主。柵注入應(yīng)力下產(chǎn)生更多的正陷阱電荷和界面態(tài)。通過(guò)物理模型解釋了實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。設(shè)計(jì)了專用的測(cè)試系統(tǒng)，對(duì)嵌入式：EEPROM IP核的可靠性進(jìn)行了研究。 通過(guò)簡(jiǎn)單的解析模型，提出了電荷泵電路功耗最小化的設(shè)計(jì)原則。利用這一原則，可以由輸入和輸出電壓確定

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