硅微尖的場發(fā)射電子能譜.pdf

1、在信息日益發(fā)達的社會里，信息顯示器件具有非常重要的地位。陰極射線管(cathode ray tube：CRT)顯示是最早的，最成熟的，也是性能價格比最高的信息顯示技術(shù)，但CRT存在體積龐大，笨重等缺陷。場發(fā)射顯示技術(shù)是能夠保留CRT顯示質(zhì)量，并使之平板化的重要的平板顯示技術(shù)。 場發(fā)射陰極是場發(fā)射平板顯示的關(guān)鍵，深入理解場發(fā)射的機制是開發(fā)高效場發(fā)射陰極的基礎(chǔ)。但是至今為止，只有金屬的場發(fā)射理論即Fowler-Nordheim理論是

2、人們普遍接受和公認(rèn)的。其它材料如半導(dǎo)體材料、納米材料等的場發(fā)射過程有時并不遵循Fowler-Nordheim理論。硅材料是人們最為熟悉的半導(dǎo)體材料，研究硅材料的場發(fā)射機理有助于深入了解半導(dǎo)體材料的場發(fā)射機制。場發(fā)射電子能譜是探索場發(fā)射機理的重要的工具。 本文利用金屬的場發(fā)射理論，結(jié)合半導(dǎo)體能帶理論，計算了n型硅的場發(fā)射電子能譜，并與n型硅場發(fā)射電子能譜的實驗測量結(jié)果進行比較分析，探討了半導(dǎo)體硅的場發(fā)射機制。首先采用有限元方法求解