《半導體集成電路》期末考試試題庫

1、1第一部分第一部分考試試題考試試題第0章緒論緒論1.1.什么叫半導體集成電路？什么叫半導體集成電路？2.2.按照半導體集成電路的集成度來分，分為哪些類型，請同時寫出按照半導體集成電路的集成度來分，分為哪些類型，請同時寫出它們對應的英文縮寫？它們對應的英文縮寫？3.3.按照器件類型分，半導體集成電路分為哪幾類？按照器件類型分，半導體集成電路分為哪幾類？4.4.按電路功能或信號類型分，半導體集成電路分為哪幾類按電路功能或信號類型分，半導體集

2、成電路分為哪幾類？5.5.什么是特征尺寸？它對集成電路工藝有何影響什么是特征尺寸？它對集成電路工藝有何影響？6.6.名詞解釋：集成度、名詞解釋：集成度、waferwafersizesize、diediesizesize、摩爾定律？、摩爾定律？第1章集成電路的基本制造工藝集成電路的基本制造工藝1.四層三結的結構的雙極型晶體管中隱埋層的作用？2.在制作晶體管的時候，襯底材料電阻率的選取對器件有何影響？。3.簡單敘述一下pn結隔離的NPN晶體

3、管的光刻步驟？4.4.簡述硅柵簡述硅柵p阱CMOSCMOS的光刻步驟？的光刻步驟？5.5.以p阱CMOSCMOS工藝為基礎的工藝為基礎的BiCMOSBiCMOS的有哪些不足？的有哪些不足？6.6.以N阱CMOSCMOS工藝為基礎的工藝為基礎的BiCMOSBiCMOS的有哪些優(yōu)缺點？并請?zhí)岢龈牡挠心男﹥?yōu)缺點？并請?zhí)岢龈倪M方法。進方法。7.請畫出NPN晶體管的版圖，并且標注各層摻雜區(qū)域類型。8.8.請畫出請畫出CMOSCMOS反相器的版圖，

4、并標注各層摻雜類型和輸入輸出端反相器的版圖，并標注各層摻雜類型和輸入輸出端子。子。第2章集成電路中的晶體管及其寄生效應集成電路中的晶體管及其寄生效應34.兩管與非門有哪些缺點，四管及五管與非門的結構相對于兩管與非門在那些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管與非門對靜態(tài)和動態(tài)有那些方面的改進。5.相對于五管與非門六管與非門的結構在那些部分作了改善，分析改進部分是如何工作的。6.畫出四管和六管單元與非門傳輸特性曲線。并說明為

5、什么有源泄放回路改善了傳輸特性的矩形性。7.四管與非門中，如果高電平過低，低電平過高，分析其原因，如與改善方法，請說出你的想法。8.為什么TTL與非門不能直接并聯(lián)？9.OC門在結構上作了什么改進，它為什么不會出現(xiàn)TTL與非門并聯(lián)的問題。第5章MOSMOS反相器反相器1.1.請給出請給出NMOSNMOS晶體管的閾值電壓公式，并解釋各項的物理含義及晶體管的閾值電壓公式，并解釋各項的物理含義及其對閾值大小的影響（即各項在不同情況下是提高閾值還

6、是降低其對閾值大小的影響（即各項在不同情況下是提高閾值還是降低閾值）閾值）。2.什么是器件的亞閾值特性，對器件有什么影響？3.3.MOSMOS晶體管的短溝道效應是指什么，其對晶體管有什么影響？晶體管的短溝道效應是指什么，其對晶體管有什么影響？4.請以PMOS晶體管為例解釋什么是襯偏效應，并解釋其對PMOS晶體管閾值電壓和漏源電流的影響。5.什么是溝道長度調制效應，對器件有什么影響？6.為什么MOS晶體管會存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分（不考慮