中國(guó)首批32層3d nand閃存芯片即將量產(chǎn)

1、中國(guó)首批中國(guó)首批32層3DN閃存芯片即將量產(chǎn)閃存芯片即將量產(chǎn).doc中國(guó)首批32層3DN閃存芯片即將量產(chǎn).doc中國(guó)首批32層3DN閃存芯片即將量產(chǎn)昨日長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式公開(kāi)了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉，該技術(shù)將為3DN閃存帶來(lái)前所未有的IO高性能，更高的存儲(chǔ)密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。同時(shí)，該技術(shù)可應(yīng)用于智能手機(jī)、個(gè)人計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域，并將開(kāi)啟高性能、定制化N解決方案的全新篇章。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功將Xtac

2、kingTM技術(shù)應(yīng)用于其第二代3DN產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，該產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2019年進(jìn)入量產(chǎn)階段。據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)介紹，采用XtackingTM，可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)IO及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓N獲取更高的IO接口速度及更多的操作功能。存儲(chǔ)單元同樣也將在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的XtackingTM技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)百萬(wàn)根金屬VIA(VerticalInter

3、connectAccesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。傳統(tǒng)3DN架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3DN技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層3DN閃存芯片將于今年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。同時(shí)，刁石京介紹，目前，芯片生產(chǎn)設(shè)備正在進(jìn)行安裝調(diào)試，今年第四季度，32層3DN閃存芯片將在一號(hào)芯片生產(chǎn)廠房進(jìn)行量產(chǎn)。據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2017年成功研發(fā)中國(guó)首