MLC NAND閃存失效模式的測(cè)試與分析.pdf

1、為了提高信息技術(shù)的整體發(fā)展水平，基于閃存(Flash)的固態(tài)硬盤(pán)(Solid State Disk, SSD)因存取速度快、抗震防摔、功耗低、噪聲低等優(yōu)良特性被廣泛應(yīng)用于存儲(chǔ)解決方案中。固態(tài)硬盤(pán)中閃存以芯片的形式存在，其中MLC NAND閃存芯片的應(yīng)用最為廣泛。近些年來(lái)，生產(chǎn)廠商不斷提高閃存芯片的工藝制程以滿足用戶對(duì)更大容量、更低成本的需求，但同時(shí)，閃存芯片的使用壽命和存儲(chǔ)可靠性受到了嚴(yán)重影響。深入研究閃存的失效模式，以尋求解決方案，具

2、有重要的意義。
　　分析閃存的存儲(chǔ)原理、組織方式和讀寫(xiě)機(jī)制，提出閃存在使用過(guò)程中存在的三種失效模式，包括寫(xiě)干擾錯(cuò)誤、寫(xiě)入錯(cuò)誤、讀干擾錯(cuò)誤。設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)硬件平臺(tái)，通過(guò)該平臺(tái)可直接訪問(wèn)閃存芯片并獲取到介質(zhì)中的原始數(shù)據(jù)，同時(shí)開(kāi)發(fā)了一個(gè)基于此平臺(tái)的測(cè)試系統(tǒng)。針對(duì)每一種失效模式設(shè)計(jì)對(duì)應(yīng)的測(cè)試方案，統(tǒng)計(jì)訪問(wèn)過(guò)程中出現(xiàn)的比特錯(cuò)誤以研究對(duì)應(yīng)的失效模式。
　　通過(guò)實(shí)驗(yàn)得出以下結(jié)論：(1)物理頁(yè)的分配方式不同，寫(xiě)干擾造成的比特錯(cuò)誤數(shù)也不同，