NAND閃存寫入(編程)干擾研究.pdf

1、閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器。由于其斷電后仍能保存數(shù)據(jù),閃存通常被用來保存設(shè)置信息,如在電腦的BIOS(基本輸入輸出程序)、PDA(個人數(shù)字助理)、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。閃存分為NOR型與NAND型,目前NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案,這在不超過8GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)的猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND閃存正被證

2、明極具吸引力。
　　NAND閃存作為一種比較實(shí)用的固態(tài)硬盤存儲介質(zhì),有自己的一些物理特性,NAND閃存的電荷非常不穩(wěn)定,在寫入(編程)時(shí)很容易對鄰近的單元造成干擾,干擾后會讓附近單元的電荷脫離實(shí)際的邏輯數(shù)值,造成位(bit)出錯。由于閾值電壓接近的關(guān)系,MLC相對SLC來說更容易受到干擾,如何改善寫入(編程)干擾是本文研究的主要方向。
　　寫入(編程)干擾指的是,某個頁(page)在寫入(編程)時(shí),鄰近位(bit)的電壓也被

3、升高了,造成位(bit)出錯。為了保證寫入數(shù)據(jù)的完整性,研究如何減少寫入(編程)干擾造成的數(shù)據(jù)出錯顯得尤為重要,除了芯片級測試參數(shù)的修改與寫入(編程)的方法可以改善寫入(編程)干擾,在系統(tǒng)級測試中,通過ECC算法也可以糾正這些位(bit)的錯誤。隨著NAND閃存工藝的不斷提升,同樣大小的晶片上被封裝入更多的單元,造成干擾越來越厲害,所以需要更強(qiáng)大的ECC來糾正位(bit)。
　　本文重點(diǎn)研究了NAND閃存寫入(編程)干擾的原理,由