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1、東南大學(xué)碩士學(xué)位論文0.5μm 18V高壓CDMOS工藝開發(fā)與優(yōu)化姓名：楊萬青申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：軟件工程指導(dǎo)教師：李冰;蘇巍20081230東南大學(xué)工程碩十學(xué)位論文最后還對(duì)實(shí)際硅片上的高壓器件進(jìn)行了圓片級(jí)熱載流子可靠性評(píng)估，高壓器件通過國際電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)( 厄D E C ) 標(biāo)準(zhǔn)。研究結(jié)果表明該工藝的成功開發(fā)，可為國內(nèi)功率器件的應(yīng)用市場(chǎng)提供一個(gè)低成本的代工工藝技術(shù)，為發(fā)展國內(nèi)半導(dǎo)體事業(yè)提供一種具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的生產(chǎn)技術(shù)能力。關(guān)
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