磁性超薄膜體系中磁性相變的研究.pdf

1、本論文針對界面耦合對兩層膜體系的相變行為的影響，分?jǐn)?shù)厚度的磁性薄膜的性質(zhì)等理論問題，或發(fā)展新的計(jì)算方法，或應(yīng)用蒙特卡羅模擬，得到了以下結(jié)果。為了實(shí)驗(yàn)對居里相變和自旋重定向相變展開研究，搭建了磁化率測量設(shè)備，并作了初步的應(yīng)用?！　?.研究了界面耦合對兩層膜體系的相變行為的影響。提出了一種新的基于平均場近似的計(jì)算方法，從而可以考慮結(jié)構(gòu)對材料的影響，并且得到了鐵磁耦合的兩層膜體系的分層磁性，證明高Tc薄膜的Tc會(huì)由于界面耦合而被提高。發(fā)現(xiàn)b

2、cc結(jié)構(gòu)受界面耦合的影響最為強(qiáng)烈，次之為fcc，影響最小的是sc。界面耦合在高Tc膜和低Tc膜材料中的不同衰減速度也得到了充分的討論。　　2.分?jǐn)?shù)厚度的磁性薄膜的性質(zhì)。結(jié)果如下：原子所構(gòu)成的島的大小是薄膜磁性的決定性因素，而不是島的位置。具有單一的相變行為的薄膜的所有的島的大小應(yīng)該相同。當(dāng)島很大時(shí)，如64*64，體系中可以觀察到明顯的兩個(gè)相變的過程。當(dāng)島很小時(shí)，如1*1，1.25ML的薄膜的居里溫度等于1ML的居里溫度。當(dāng)島由大變小時(shí)