克酮酸單晶的制備及介電性能.pdf

1、近年來,隨著微電子技術、微計算機技術和信息技術的迅速發(fā)展,人們對存儲器的要求越來越高,尤其在航空航天領域。而鐵電存儲器擁有優(yōu)異的抗輻射能力,快速的讀寫能力,低功耗,較低的工作電壓等優(yōu)越的性能,成為該領域最具發(fā)展?jié)摿Φ漠a(chǎn)品。
　　本文以四氯苯醌為原料經(jīng)四甲氧基苯醌、四羥基苯醌制備克酮酸,通過紅外、氫核磁、質譜等表征了克酮酸的制備過程中中間產(chǎn)物以及副產(chǎn)物的結構,并討論了四甲氧基苯醌與四羥基苯醌的制備工藝,實驗結果表明:在最佳工藝條件下

2、克酮酸的最大產(chǎn)率為27.5％。
　　以制備的克酮酸為原料,利用溶液法中的蒸發(fā)法生長克酮酸單晶,研究了pH值等生長環(huán)境對克酮酸單晶的影響,最終在1mol/L的HCl溶液中生長出較為理想的晶體。對克酮酸單晶進行了X射線單晶結衍射分析,結果表明,克酮酸單晶屬于正交晶系,mm2點群,一個晶胞含有4個克酮酸分子,晶格參數(shù)為a=8.7038(4)?,b=5.1695(2),c=10.9622(4)從克酮酸單晶的晶體結構可以得出克酮酸單晶屬于有