2023年全國碩士研究生考試考研英語一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁
已閱讀1頁,還剩66頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、隨著網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展和無線通訊技術(shù)的進(jìn)步,個人信息傳輸與存儲的安全性日益受到人們關(guān)注。存儲個人信息的電子設(shè)備通常通過對信息進(jìn)行加密確保其安全性,但攻擊者可通過旁道攻擊(Side Channel Attack,SCA),利用硬件加密時泄露的功耗、運行時間、電磁波等物理信息來獲取密鑰。在眾多旁道攻擊方法中,差分功耗分析(Differential Power Analysis,DPA)攻擊由于實現(xiàn)簡單且成功率高被廣泛使用。它通過分析硬件加解密過程中

2、所處理數(shù)據(jù)與功耗的相關(guān)性來獲取密鑰,嚴(yán)重威脅到加密設(shè)備的安全性。
  靜態(tài)隨機存儲器(Static Random Access Memory,SRAM)是一種高性能的存儲器,在加密電路中被廣泛采用。但由于電路功耗與所讀取數(shù)據(jù)相關(guān),存在被DPA攻擊破譯的可能性。同時,存儲器占據(jù)了電路絕大部分面積與功耗,對SRAM進(jìn)行功耗優(yōu)化設(shè)計對芯片整體性能的提升具有很大的意義。因此,本文首先對 SRAM的工作原理以及抗功耗攻擊特性進(jìn)行分析,然后對

3、 SRAM在功耗平衡,低功耗等方面進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計。研究內(nèi)容主要分為以下四個部分:
  1. SRAM的抗功耗攻擊特性分析:首先對功耗分析攻擊的原理進(jìn)行研究,進(jìn)一步分析 SRAM基本架構(gòu)與工作方式,得到 SRAM抵御差分功耗分析攻擊的薄弱點,即數(shù)據(jù)輸出電路。
  2.基于功耗平衡的抗功耗攻擊 SRAM設(shè)計:根據(jù)已經(jīng)得到的SRAM抵御差分功耗分析攻擊的薄弱點,對 SRAM輸出電路進(jìn)行優(yōu)化,并根據(jù)功耗平衡電路設(shè)計思想實現(xiàn)抗功耗攻擊的

4、SRAM的功耗平衡設(shè)計,與傳統(tǒng) SRAM和其他抗功耗攻擊電路進(jìn)行比較。
  3.基于時序控制的抗功耗攻擊 SRAM低功耗設(shè)計:為降低設(shè)計的SRAM功耗,設(shè)計一種新型復(fù)制位線控制電路,使字線能及時開啟與關(guān)斷,同時對片選信號進(jìn)行分解,用時鐘信號取代復(fù)制字線控制對復(fù)制位線的充電,有效阻斷復(fù)制位線與復(fù)制字線引起的反饋振蕩,減少存儲陣列不必要放電造成的功耗損失,從時序控制方面實現(xiàn)抗功耗攻擊 SRAM的低功耗設(shè)計。
  4.基于低電壓的

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論