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1、GaSb半導(dǎo)體化合物由于它們的能帶結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在電子和光電子器件的應(yīng)用方面有著廣泛的前途。在金屬與GaSb半導(dǎo)體接觸中，金屬半導(dǎo)體接觸勢(shì)壘對(duì)器件有著重要影響，而費(fèi)米能級(jí)釘扎效應(yīng)是導(dǎo)致接觸勢(shì)壘不可調(diào)制的主要原因。
在這篇文章中，主要通過(guò)使用原子層沉積技術(shù)(ALD)，在金屬Au與半導(dǎo)體GaSb之間刻意插入一層均勻的氧化物界面層，并研究不同厚度的氧化物薄膜作為界面層對(duì)Au/GaSb接觸的影響。根據(jù)二極管的電流-電壓(I-V)特性曲線所表
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