175Hf半衰期的測量.pdf

1、174Hf具有較大的中子吸收截面，可在反應(yīng)堆中作為熱中子監(jiān)測核素使用，這一功能的實現(xiàn)需要準確的175Hf半衰期數(shù)據(jù)。截至目前，公開發(fā)表的半衰期數(shù)據(jù)僅有四個，數(shù)據(jù)間分歧較大不利于核參數(shù)的準確使用，需要進一步的測量解決這一數(shù)據(jù)分歧。
　　本文首先采用熱中子輻照的Hf放射源對177Lu在不同死時間下的計數(shù)率進行測量，得出一個計數(shù)率丟失因子f隨死時間變化的一般關(guān)系式f(t)=0.042t+0.996（t表示死時間）。對181Hf在不同死時

2、間下進行半衰期跟蹤測量發(fā)現(xiàn)，逐漸增加數(shù)據(jù)點進行線性擬合得到的半衰期值在出現(xiàn)一極大值后會逐漸減小。將放射性 Hf視為含有高能γ射線的長壽命干擾核素并與177Lu一起進行半衰期跟蹤測量。擬合得到的181Hf半衰期測量結(jié)果有逐漸減小趨勢。而177Lu半衰期結(jié)果為6.71d，高于推薦值和大多數(shù)測量結(jié)果，并且逐點增加處理的半衰期值有穩(wěn)定增大趨勢。
　　分別使用陰離子樹脂與HDEHP樹脂對于含有雜質(zhì)的175Hf源的放化分離，結(jié)果顯示HDEHP

3、樹脂能夠進行175Hf放射源的純化。并對制得的含有65Zn、56Co以及少量52Mn、48Sc、156Tb雜質(zhì)的175Hf液體源在不同的酸性條件下使用HDEHP離子交換樹脂進行了分離純化。對65Zn與56Co的去污因子分別達到了5200與2360，分離得到的175Hf產(chǎn)品中僅含小于天然本底量級的65Zn，γ能譜中幾乎無可見的其他核素能峰，通過實驗制得了放射性純的175Hf。
　　最終使用井型HPGe在較小死時間下（<1%），對全譜