聚合物膜修飾電極及神經(jīng)遞質(zhì)電化學(xué)檢測(cè)的研究.pdf

1、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文聚合物膜修飾電極及神經(jīng)遞質(zhì)電化學(xué)檢測(cè)的研究姓名：趙紅申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專業(yè)：分析化學(xué)指導(dǎo)教師：袁倬斌2002.5.1中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)博士學(xué)位論文：中文摘要合物膜對(duì)甲基多巴的氧化有明顯的催化作用，可測(cè)定樣品中的甲基多巴。6研究了去甲腎上腺素在預(yù)處理電極和聚異煙酸膜修飾電極上的伏安行為。結(jié)果表明，聚異煙酸膜修飾電極對(duì)去甲腎上腺素有明顯的電催化作用。該修飾電極能使抗壞血酸的氧化峰電位負(fù)移，與去甲腎上腺素的氧化峰電位

2、分開達(dá)200mV，從而消除了抗壞血酸對(duì)NE測(cè)定的干擾。NE在該修飾電極上的氧化峰電流與其濃度在40107～1010。5和1010～～20104mol／L范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系；檢出限為8010一mol／L。7利用電化學(xué)聚合制備了聚馬尿酸修飾電極。采用循環(huán)伏安法和方波伏安法研究了多巴胺在聚馬尿酸修飾電極上的電化學(xué)行為。多巴胺的氧化還原峰電位差較小(約為16mV)，氧化峰和還原峰的峰形也比較對(duì)稱。在選定條件下，多巴胺的氧化峰電流與其濃度在2

3、010’‘一10104mol／L范圍內(nèi)里良好的線性關(guān)系。當(dāng)信噪比為3時(shí)，檢出限為1010一mol／L。聚馬尿酸修飾電極可基本消除抗壞血酸對(duì)多巴胺測(cè)定的干擾。8通過電化學(xué)方法將氨基磺酸聚合于電極表面。將聚氨基磺酸修飾電極用于檢測(cè)腎上腺素時(shí)，發(fā)現(xiàn)聚氨基磺酸膜能大大提高腎上腺素測(cè)定的靈敏度，檢出限可達(dá)10104mol／L。在大量抗壞血酸存在下，該修飾電極能選擇性地測(cè)定腎上腺素，可使EP和AA的氧化峰電位分開達(dá)188洲。1“關(guān)鍵詞：多巴胺：去甲