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文檔簡介
1、本論文共分為三個部分,包括結論、化學方法合成分子印跡聚合物膜修飾電極的研究和應用、電化學方法合成分子印跡聚合物膜修飾電極的研究和應用。 第一章為緒論部分。對化學修飾電極的基本理論知識、發(fā)展歷史、現(xiàn)狀以及分子印跡技術的相關原理、特點進行了較為全面的評述,綜合以上兩方面對分子印跡聚合物膜修飾電極的發(fā)展現(xiàn)狀及前景也做了介紹,詳細總結了本文的選題思路、研究特色和創(chuàng)新點。 第二章是化學方法合成分子印跡聚合物膜修飾電極的研究和應用。
2、把傳統(tǒng)而成熟的分子印跡聚合物的合成方法,即自由基引發(fā)雙鍵加成反應,直接借鑒過來,在自制的碳棒電極表面原位合成分子印跡聚合物膜,模板分子香草醛主要是通分子間氫鍵與功能單體作用,是分子印跡中形狀識別外的另一個識別因素。實驗得到的修飾電極對目標物香草醛分子有比較好的響應,電洗脫能有效除去目標物,省時且操作簡單,檢測和洗脫同步完成,在實驗條件吸附時間選擇5min時,到線性范圍為2.0×10<'-4>—1.0×10<'-2>mol/L,且可根據(jù)需
3、要選取合適的吸附時間得到不同范圍。分子印跡膜修飾電極有一定的選擇性,可以排除大部分相似物的干擾。 第三章是電化學方法合成分子印跡聚合物膜修飾電極的研究的應用。利用能發(fā)生電聚合的體系來制做分子印跡聚合物,最終用鄰苯二胺制得了香草醛的分子印跡聚合物膜修飾電極,其中巧妙地運用了胺和醛反應生成席夫堿的特性,鄰苯二胺既是聚合單體,又是和模板分子香草醛相互作用的功能單體,并且它們之間的作用力屬分子印跡中的共價鍵作用,鍵能較大,結合比牢固。而
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