聚酰亞胺基二維納米銀復(fù)合薄膜制備及性能研究.pdf

1、聚酰亞胺基二維納米材料是近年研究的熱點(diǎn)。二維納米銀，具備優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)及力學(xué)性能，其剛性的特性，可有效避免與高分子材料復(fù)合過程中出現(xiàn)的變形卷曲問題。本文采用原位聚合法制備不同組分聚酰亞胺基二維納米銀復(fù)合薄膜(PI/Ag)，研究PI/Ag復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)及電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能。
　　研究熱亞胺化工藝對PI/Ag復(fù)合薄膜的影響，確定最佳工藝，制備不同組分PI/Ag復(fù)合薄膜。利用SEM觀察復(fù)合薄膜中銀片分布情況，采用FTIR與XRD表征

2、復(fù)合薄膜結(jié)構(gòu)特征，采用SAXS表征復(fù)合薄膜的界面及分形特征。通過介電頻譜、AC電導(dǎo)率、耐電暈、擊穿強(qiáng)度測試，研究復(fù)合薄膜的電學(xué)性能。通過TGA和DSC研究復(fù)合薄膜的熱穩(wěn)定性、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度及熔融焓情況。采用電子萬能試驗(yàn)機(jī)測試復(fù)合薄膜的拉伸強(qiáng)度、斷裂伸長率、彈性模量等力學(xué)性能。
　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，320℃下恒溫30min的PI/Ag復(fù)合薄膜亞胺化最好;摻雜組分在0-10％內(nèi)，復(fù)合薄膜微結(jié)構(gòu)無明顯變化，摻雜10％及以上組分，PI基體明

3、顯變得密集而緊湊，在10％組分時，納米銀與PI基體間形成明顯界面層，隨組分增加，界面層厚度逐漸增大;10％組分PI/Ag復(fù)合薄膜的介電常數(shù)最大，摻雜納米銀片對復(fù)合薄膜電導(dǎo)率及介質(zhì)損耗影響較小，隨組分增加，復(fù)合薄膜擊穿強(qiáng)度、耐電暈老化壽命明顯下降;摻雜納米銀片組分為0-0.75％時，復(fù)合薄膜熱分解溫度較純PI薄膜提升明顯，納米銀片組分＞2％時，復(fù)合薄膜熱分解溫度較純PI薄膜明顯降低，復(fù)合薄膜熱分解速率均高于純PI薄膜，納米銀片組分影響PI