帶隔離器的GaNHEMT寬帶功率放大器.pdf

1、本文研究了C波段寬帶功率放大器設(shè)計(jì)的相關(guān)問(wèn)題，介紹了射頻功率放大器的理論基礎(chǔ)及功放的寬帶技術(shù)，并設(shè)計(jì)了4-8GHz的驅(qū)動(dòng)級(jí)寬帶射頻功率放大器。為了改善寬帶功率放大器端口駐波系數(shù)不佳的問(wèn)題，采用鐵氧體YIG基片設(shè)計(jì)了一款C波段的寬帶微帶隔離器，串聯(lián)到放大鏈路輸入端來(lái)改善駐波系數(shù)。與常規(guī)體積較大的隔離器不同，設(shè)計(jì)的微帶隔離器體積小，可以集成在功率放大電路中。
　　論文首先查閱了與本課題相關(guān)的文獻(xiàn)資料，歸納總結(jié)了近年來(lái)國(guó)內(nèi)外寬帶放大器的

2、研究進(jìn)展和成果，了解寬帶功率放大器的研究現(xiàn)狀及發(fā)展前景。同時(shí)整理了近年國(guó)內(nèi)外對(duì)寬帶微帶環(huán)形/隔離器的研究情況，了解隔離器的發(fā)展趨勢(shì)。
　　其次介紹了射頻放大器的工作狀態(tài)及參數(shù)指標(biāo)，介紹了阻抗匹配的相關(guān)知識(shí)；通過(guò)查閱相關(guān)的文獻(xiàn)資料，整理了目前設(shè)計(jì)寬帶射頻放大器常用的幾種方法，并針對(duì)每一種實(shí)現(xiàn)寬帶方法進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析。通過(guò)對(duì)比分析，得到適合本文實(shí)現(xiàn)寬帶功能的設(shè)計(jì)方法。
　　接著使用ADS軟件設(shè)計(jì)一款C波段的寬帶功率放大電路。采用了

3、TriQuint半導(dǎo)體公司的GaN HEMT裸管TGF2023-2-02，功率放大器工作在AB類(lèi)，直流偏置為Vds=28V，Vgs=-3.6V。仿真結(jié)果顯示，在工作帶寬范圍內(nèi)寬帶功率放大器性能良好。接下來(lái)進(jìn)行加工測(cè)試，并對(duì)仿真和測(cè)試結(jié)果進(jìn)行對(duì)比和分析。
　　隔離器能夠改善端口或者級(jí)間駐波比。查閱了相關(guān)的資料，簡(jiǎn)單介紹了鐵氧體材料的分類(lèi)及隔離器的工作原理、參數(shù)指標(biāo)。然后仿真并制作了C波段的寬帶結(jié)型微帶隔離器。設(shè)計(jì)了一款4～8GHz寬