以介孔材料為基底的表面離子印跡聚合物的制備及表征.pdf

1、隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，水環(huán)境污染日益嚴(yán)重，吸附法處理含金屬離子廢水具有操作簡(jiǎn)單，去除效率高等優(yōu)點(diǎn)已得到了廣泛應(yīng)用。然而，傳統(tǒng)吸附劑去除金屬離子存在選擇性差、水熱穩(wěn)定性低、循環(huán)使用性不好等不足。近年來，具有特異識(shí)別功能的離子印跡聚合物得到越來越多的關(guān)注。其中，表面印跡技術(shù)又因其結(jié)合位點(diǎn)被限定在具有良好可接近性的材料表面上，吸附速度更快，識(shí)別性更好，離子印跡更容易洗脫等優(yōu)點(diǎn)而被深入研究。
　　本論文分別以硅膠、SBA-15為基底材料

2、，采用表面印跡技術(shù)，制備離子表面印跡聚合物。利用紅外光譜(FT-IR)、能量色散X射線譜(EDS)、X射線粉末衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、氮?dú)馕?脫附、熱重分析(TGA)等測(cè)試手段對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行表征。研究所制備材料的吸附性能，包括平衡吸附時(shí)間、平衡吸附量，選擇性及循環(huán)使用性能等。具體研究結(jié)果如下：
　?。?）以鈷離子為模板離子，硅膠為基底，(3-巰基丙基)三甲氧基硅烷為功能單體，環(huán)氧氯丙烷為交聯(lián)劑，采用表

3、面印跡技術(shù)制備并表征了鈷離子印跡聚合物(Co(II)-IIP)，吸附結(jié)果表明，在25℃，pH=5~6時(shí)，最大吸附量為20.05 mg/g。Co(II)-IIP對(duì)Co(II)/Cd(II)、Co(II)/Pb(II)、Co(II)/Cu(II)、Co(II)/Ni(II)吸附選擇性系數(shù)分別為2.52、1.34、3.61、4.39。經(jīng)5次吸附-解吸循環(huán)后，Co(II)-IIP對(duì)鈷離子的吸附效果并沒有明顯下降，表明Co(II)-IIP具有一定

4、的循環(huán)利用性能。
　?。?）以 SBA-15為基底，銅離子為模板離子，甲基丙烯酸為功能單體，乙二醇二甲基丙烯酸酯為交聯(lián)劑，成功制備了Cu(II)-IIP。研究結(jié)果表明，在25℃、pH=7時(shí)，最大吸附量為25.03 mg/g。Cu(II)-IIP對(duì)Cu(II)具有較好的選擇性。
　　（3）采用表面印跡技術(shù)，以銫離子為模板，殼聚糖為功能單體，在介孔材料SBA-15表面進(jìn)行氨基化、醛基化修飾，成功制備了Cs(I)-IIP。對(duì)產(chǎn)物進(jìn)