銻(Ⅲ)離子印跡聚合物的制備、表征及性能研究.pdf

1、分子印跡技術(shù)（Molecular Imprinted Technique，MIT）是以目標(biāo)分子為模板，將具有結(jié)構(gòu)上互補(bǔ)的功能化聚合物單體與模板分子結(jié)合，再經(jīng)過(guò)聚合、模板洗脫最后形成對(duì)目標(biāo)分子具有專(zhuān)一識(shí)別性能的聚合物的技術(shù)。離子印跡技術(shù)(Ion Imprinted Technique，IIT)與分子印跡技術(shù)相似，只是模板由分子變成離子，而分子印跡的構(gòu)效預(yù)知性、特異識(shí)別性和廣泛適用性等優(yōu)點(diǎn)仍然被保留。其應(yīng)用已涉及到分離純化、化學(xué)與生物傳感器

2、、模擬酶催化劑以及痕量分析等各個(gè)領(lǐng)域。
　　本文依據(jù)硅膠表面修飾的分子印跡技術(shù)的基本思路，提出了一種基于硅膠表面修飾的離子印跡技術(shù)。采用硅膠微球表面接枝方法，先將功能配體（本課題所制備的兩種聚合物分別采用3-氰基丙基三乙氧基硅烷和3-硫氰基丙基三乙氧基硅烷）耦合接枝到硅球表面，然后以銻(Ⅲ)離子為模板，在交聯(lián)劑環(huán)氧氯丙烷的作用下，制備了兩種復(fù)合型離子印跡材料。
　　通過(guò)改變本體濃度、吸附時(shí)間和溶液pH值，對(duì)銻(Ⅲ)離子印跡聚

3、合物的吸附能力進(jìn)行研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明吸附速率很快，20 min就可達(dá)到吸附平衡;在pH值為3～9的條件下，吸附效果均很好。
　　采用靜態(tài)法研究了所合成印跡聚合物對(duì)Sb3+的結(jié)合特性，結(jié)果表明，該銻(Ⅲ)印跡材料對(duì)銻(Ⅲ)離子具有較強(qiáng)的記憶識(shí)別能力，主要表現(xiàn)在兩方面:(1)對(duì)Sb3+的結(jié)合量很大，Sb-CPTS/SiO2和Sb-TCPTS/SiO2對(duì)Sb3+飽和吸附容量分別達(dá)到15.3 mg·g-1和14.3 mg·g-1;(2)對(duì)