有機薄膜-有機單晶陣列電路的制備與性能研究.pdf

1、有機薄膜器件的快速發(fā)展使有機薄膜電路受到了廣泛關注，而光刻工藝作為快速、高分辨率的圖案化手段，將其應用于有機電路的制備必然極大地促進有機電子學的進一步發(fā)展。聚合物絕緣層作為剛性以及金屬氧化物絕緣層的替代者，對于制備柔性電子產品，簡化加工工藝、降低成本有重要意義。同時，有機單晶制備方法所存在的不足極大的限制了有機單晶的應用，針對其所存在的問題，發(fā)展一種可以制備大面積的、高度有序、定向生長的有機單晶陣列的工藝，對于促進有機單晶的應用研究同樣

2、是十分有意義的。本文針對目前所存在的問題，進行了探索和研究。主要有：
　　首先，基于聚酰亞胺聚合物絕緣層耐溶劑特性、高成膜性以及良好絕緣性的探索與研究?；谛糠?，分別在不同條件下制備了PI薄膜，并且通過對PI薄膜的AFM形貌表征、厚度表征、漏電流測試、電容率標定，反映了其具有高質量的成膜性、良好的絕緣性和簡單、快速的制備優(yōu)點，同時，通過對比PI薄膜在溶劑處理前后電容率、漏電流、表面形貌，說明了PI的耐溶劑特性。最后，我們以并五苯

3、為半導體層制備場效應晶體管，其遷移率可以達到0.5 cm2V-1S-1，開關比比為105，證明了PI的可應用性。
　　然后，基于快速退火和微小角度傾斜產生的溶液自剪切效應，實現了在不同基底上快速制備大面積、高度有序、定向生長的BP EA（9,10-二（苯乙炔基）蒽）單晶陣列。一方面極大的縮短了單晶陣列的制備周期；另一方面擺脫了單晶陣列對基底的依賴性，并且顯示了高度的可控性。并且，我們分別對 BPEA陣列進行了AFM、TEM、XRD

4、、光學顯微鏡的表征，反映了其高質量的陣列特性；最后測試了單晶陣列的場效應特性和光響應特性，光響應強度可以達到105，說明通過此方法制備的單晶陣列的可應用性。
　　最后介紹了在光刻工藝中，采用聚酰亞胺作為絕緣層制備有機電路的完整工藝。整個工藝中包含多次光刻、真空蒸鍍、旋涂、熱處理、氧等離子體處理等工藝步驟，并且通過嘗試和探索，我們解決了工藝中所存在的問題，比如電極黏附性，制備方式等，確定了全部可行的工藝參數，并通過測試證明了工藝參數