電磁脈沖彈對典型電子器件的毀傷機理.pdf

1、進入21世紀以來，軍用電子設備由綜合化向集成化發(fā)展，武器系統(tǒng)的信息化和智能化大大提高，海、陸、空全覆蓋的信息網(wǎng)絡逐漸成為各國攻防的戰(zhàn)略要地。各國已然將組建信息網(wǎng)絡的各類電子系統(tǒng)作為攻擊的首要目標，對各類電磁脈沖武器的研究逐漸的深入。本文主要針對電磁脈沖彈的毀傷機理展開研究，在借助matlab和origin分析了電磁脈沖彈的殺傷區(qū)域和威力的基礎上，利用 ISE-TCAD仿真軟件對電磁脈沖彈對典型的電子器件的毀傷機理進行了電磁仿真分析，為下

2、步研究提供了一定的理論計算思路和仿真參數(shù)。
　　在本文的計算過程中，首先通過理論分析，計算了電磁脈沖彈爆炸后50米內(nèi)脈沖信號的強弱規(guī)律；再通過 ISE-TCAD進行電磁仿真，觀察電磁脈沖彈對目標區(qū)域典型電子器件 NMOS管的毀傷機理。通過觀察發(fā)現(xiàn)，電磁脈沖彈爆炸所產(chǎn)生的電磁脈沖對目標區(qū)域NMOS器件的燒毀主要發(fā)生在漏、源區(qū)域與襯底的PN結處。在電磁脈沖作用下，器件內(nèi)部的電場強度、電流密度和溫度呈現(xiàn)了集中分布并在彎曲處達到峰值的規(guī)律