電磁脈沖彈對(duì)典型電子器件的毀傷機(jī)理.pdf

1、進(jìn)入21世紀(jì)以來，軍用電子設(shè)備由綜合化向集成化發(fā)展，武器系統(tǒng)的信息化和智能化大大提高，海、陸、空全覆蓋的信息網(wǎng)絡(luò)逐漸成為各國攻防的戰(zhàn)略要地。各國已然將組建信息網(wǎng)絡(luò)的各類電子系統(tǒng)作為攻擊的首要目標(biāo)，對(duì)各類電磁脈沖武器的研究逐漸的深入。本文主要針對(duì)電磁脈沖彈的毀傷機(jī)理展開研究，在借助matlab和origin分析了電磁脈沖彈的殺傷區(qū)域和威力的基礎(chǔ)上，利用 ISE-TCAD仿真軟件對(duì)電磁脈沖彈對(duì)典型的電子器件的毀傷機(jī)理進(jìn)行了電磁仿真分析，為下

2、步研究提供了一定的理論計(jì)算思路和仿真參數(shù)。
　　在本文的計(jì)算過程中，首先通過理論分析，計(jì)算了電磁脈沖彈爆炸后50米內(nèi)脈沖信號(hào)的強(qiáng)弱規(guī)律；再通過 ISE-TCAD進(jìn)行電磁仿真，觀察電磁脈沖彈對(duì)目標(biāo)區(qū)域典型電子器件 NMOS管的毀傷機(jī)理。通過觀察發(fā)現(xiàn)，電磁脈沖彈爆炸所產(chǎn)生的電磁脈沖對(duì)目標(biāo)區(qū)域NMOS器件的燒毀主要發(fā)生在漏、源區(qū)域與襯底的PN結(jié)處。在電磁脈沖作用下，器件內(nèi)部的電場(chǎng)強(qiáng)度、電流密度和溫度呈現(xiàn)了集中分布并在彎曲處達(dá)到峰值的規(guī)律