微電子器件課程復(fù)習(xí)題

1、11、若某突變PN結(jié)的P型區(qū)的摻雜濃度為，則室溫下該區(qū)的平衡多子濃度pp0與163A1.510cmN???平衡少子濃度np0分別為（）和（）。316105.1???cmNA314105.1???cmNA2、在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，P區(qū)一側(cè)帶（負(fù)）電荷，N區(qū)一側(cè)帶（正）電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從（N）區(qū)指向（P）區(qū)。[發(fā)生漂移運(yùn)動(dòng)，空穴向P區(qū)，電子向N區(qū)]3、當(dāng)采用耗盡近似時(shí)，N型耗盡區(qū)中的泊松方程為（）。由此方程可以看出，摻雜濃度DSEu

2、qdxd???越高，則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越（大）。4、PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘區(qū)的長(zhǎng)度就越（?。?，內(nèi)建電場(chǎng)的最大值就越（大），內(nèi)建電勢(shì)Vbi就越（大），反向飽和電流I0就越（?。P20]，勢(shì)壘電容CT就越（大），雪崩擊穿電壓就越（?。?。5、硅突變結(jié)內(nèi)建電勢(shì)Vbi可表為（）P9，在室溫下的典型值為（0.8）伏特。2lniDAbinNNqKTv?6、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（減?。?，勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（降低）。7、當(dāng)對(duì)PN

3、結(jié)外加反向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（增大），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（提高）。8、在P型中性區(qū)與耗盡區(qū)的邊界上，少子濃度np與外加電壓V之間的關(guān)系可表示為（）P18。若P型區(qū)的摻雜濃度，外加電壓V=0.52V，則)exp()(0KTqvpppnxn??173A1.510cmN???P型區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度np為（）。3251035.7??cm9、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度比該處的平衡少子濃度（大）；當(dāng)對(duì)PN結(jié)

4、外加反向電壓時(shí)，中性區(qū)與耗盡區(qū)邊界上的少子濃度比該處的平衡少子濃度（?。?0、PN結(jié)的正向電流由（空穴擴(kuò)散）電流、（電子擴(kuò)散）電流和（勢(shì)壘區(qū)復(fù)合）電流三部分所組成。11、PN結(jié)的正向電流很大，是因?yàn)檎螂娏鞯碾姾蓙?lái)源是（多子）；PN結(jié)的反向電流很小，是因?yàn)榉聪螂娏鞯碾姾蓙?lái)源是（少子）。12、當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，由N區(qū)注入P區(qū)的非平衡電子一邊向前擴(kuò)散，一邊（復(fù)合）。每經(jīng)過(guò)一個(gè)擴(kuò)散長(zhǎng)度的距離，非平衡電子濃度降到原來(lái)的（e分之一）。1

5、3、PN結(jié)擴(kuò)散電流的表達(dá)式為（）。這個(gè)表達(dá)式在正向電壓下可簡(jiǎn)化]1)[exp(0????KTqvdndpdIJJJ為（），在反向電壓下可簡(jiǎn)化為（）。)exp(0KTqvdJJ?JJd??14、在PN結(jié)的正向電流中，當(dāng)電壓較低時(shí)，以（勢(shì)壘區(qū)復(fù)合）電流為主；當(dāng)電壓較高時(shí)，以（擴(kuò)散）電流為主。15、薄基區(qū)二極管是指PN結(jié)的某一個(gè)或兩個(gè)中性區(qū)的長(zhǎng)度小于（該區(qū)的少子擴(kuò)散長(zhǎng)度）。在薄基區(qū)二極管中，少子濃度的分布近似為（線性分布）。16、小注入條件是

6、指注入某區(qū)邊界附近的（非平衡少子）濃度遠(yuǎn)小于該區(qū)的（平衡多子）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（非平衡）多子濃度可以忽略。17、大注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的（非平衡少子）濃度遠(yuǎn)大于該區(qū)的（平衡多子）濃度，因此該區(qū)總的多子濃度中的（平衡）多子濃度可以忽略。18、勢(shì)壘電容反映的是PN結(jié)的（微分）電荷隨外加電壓的變化率。PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘電容就越（大）；外加反向電壓越高，則勢(shì)壘電容就越（?。?。P44339、ICS是指（發(fā)射結(jié)）短路

7、、（集電結(jié)）反偏時(shí)的（集電）極電流。41、ICBO是指（發(fā)射）極開(kāi)路、（集電）結(jié)反偏時(shí)的（集電）極電流。41、ICEO是指（基）極開(kāi)路、（集電）結(jié)反偏時(shí)的（集電）極電流。42、IEBO是指（集電極）極開(kāi)路、（發(fā)射）結(jié)反偏時(shí)的（發(fā)射）極電流。43、BVCBO是指（發(fā)射）極開(kāi)路、（集電）結(jié)反偏，當(dāng)（）時(shí)的VCB。CBOI??44、BVCEO是指（基）極開(kāi)路、（集電）結(jié)反偏，當(dāng)（）時(shí)的VCE。CEOI??45、BVEBO是指（集電）極開(kāi)路、（

8、發(fā)射）結(jié)反偏，當(dāng)（）時(shí)的VEB。EBOI??46、基區(qū)穿通是指當(dāng)集電結(jié)反向電壓增加到使耗盡區(qū)將（基區(qū)）全部占據(jù)時(shí)，集電極電流急劇增大的現(xiàn)象。防止基區(qū)穿通的措施是（增加）基區(qū)寬度、（提高）基區(qū)摻雜濃度。P9047、比較各擊穿電壓的大小時(shí)可知，BVCBO（大于）BVCEO，BVCBO（遠(yuǎn)大于）BVEBO。48、要降低基極電阻，應(yīng)當(dāng)（提高）基區(qū)摻雜濃度，（提高）基區(qū)寬度。bbr?49、無(wú)源基區(qū)重?fù)诫s的目的是（為了降低體電阻）。50、發(fā)射極增量

9、電阻re的表達(dá)式是（）。室溫下當(dāng)發(fā)射極電流為1mA時(shí)，re=（）。EqKT??eR?2651、隨著信號(hào)頻率的提高，晶體管的、的幅度會(huì)（下降），相角會(huì)（滯后）。????52、在高頻下，基區(qū)渡越時(shí)間對(duì)晶體管有三個(gè)作用，它們是：（復(fù)合損失使小于1β0小于1）、b?（時(shí)間延遲使相位滯后）和（渡越時(shí)間的分散使|βω|減小）。53、基區(qū)渡越時(shí)間是指（從發(fā)射結(jié)渡越到集電結(jié)所需要的平均時(shí)間）。當(dāng)基區(qū)寬度加倍時(shí)，基區(qū)渡b?越時(shí)間增大到原來(lái)的（2）倍。54

10、、晶體管的共基極電流放大系數(shù)隨頻率的（增加）而下降。當(dāng)晶體管的下降到（）時(shí)????20?的頻率，稱為的截止頻率，記為（）。??f55、晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)隨頻率的（增加）而下降。當(dāng)晶體管的下降到時(shí)????021?的頻率，稱為的（截止頻率），記為（）。??f56、當(dāng)時(shí)，頻率每加倍，晶體管的降到原來(lái)的（一半）；最大功率增益降到原來(lái)的?ff????pmaxK（四分之一）。57、當(dāng)（電流放大系數(shù)）降到1時(shí)的頻率稱為特征頻率。當(dāng)（晶體管最