金屬基底上氧化鎳外延薄膜的制備與電阻開關(guān)特性.pdf

1、單位代碼10635學(xué)號112013315001066碩士學(xué)位論文碩士學(xué)位論文金屬基底上金屬基底上氧化鎳外延薄膜的制備與氧化鎳外延薄膜的制備與電阻開電阻開關(guān)特性特性論文作者：張祎楊指導(dǎo)教師：邱曉燕副教授學(xué)科專業(yè)：凝聚態(tài)物理研究方向：納米薄膜存儲器件制備與性能提交論文日期：2016年4月20日論文答辯日期：2016年6月4日學(xué)位授予單位：西南大學(xué)中國?重慶2016年4月目錄摘要................................

2、...................................................................................................................IAbstract................................................................................................

3、.............................................III第一章緒論........................................................................................................................................11.1常見存儲器的結(jié)構(gòu)與分類簡介..............

4、..............................................................................11.2阻變存儲器的研究現(xiàn)狀........................................................................................................31.2.1阻變存儲器的結(jié)構(gòu)與分類.......

5、..................................................................................31.2.2阻變存儲器的研究現(xiàn)狀.............................................................................................41.2.3阻變存儲器的阻變原理簡介...........

6、..........................................................................61.3NiO薄膜阻變特性的研究背景與現(xiàn)狀.................................................................................71.4本文的研究目的，內(nèi)容及意義...........................

7、................................................................8第二章薄膜的制備與微結(jié)構(gòu)表征..................................................................................................102.1磁控濺射制備薄膜原理簡介..........................

8、....................................................................102.2NiO薄膜的制備...................................................................................................................102.3薄膜微結(jié)構(gòu)表征方法原理簡介......

9、....................................................................................112.3.1X射線衍射(XRD).......................................................................................................122.3.2掃描電子顯微鏡(S

10、EM).............................................................................................122.3.3透射電子顯微鏡(TEM)............................................................................................122.3.4X射線電子能

11、譜分析(XPS)........................................................................................122.3.5原子力顯微鏡(AFM)................................................................................................132.4薄膜電學(xué)性

12、能測試方法簡介.............................................................................................132.4.1四探針法測薄膜電阻率..........................................................................................132.4.2NiO薄膜電

13、流電壓特性表征...................................................................................14第三章Pt外延薄膜的制備與微結(jié)構(gòu)表征.......................................................................................153.1Pt外延薄膜的研究現(xiàn)狀.......

14、...............................................................................................153.2Pt外延薄膜的制備..............................................................................................................1

15、63.2.1不同襯底和沉積氛圍制備Pt外延薄膜的晶體結(jié)構(gòu)分析......................................163.2.2不同襯底和沉積氛圍制備Pt外延薄膜的表面形貌觀測與分析..........................183.3MgO(100)襯底上Pt外延薄膜制備條件的優(yōu)化.............................................................21

16、3.3.1沉積氛圍對Pt外延薄膜晶向擇優(yōu)取向和表面形貌的影響.................................213.3.2退火工藝與薄膜厚度對Pt(100)外延薄膜晶向的擇優(yōu)取向和表面形貌的影響..233.3.3Pt(100)外延薄膜的TEM觀測分析..........................................................................243.5Pt(100)

17、外延薄膜的電阻率研究..........................................................................................253.6本章小結(jié)...............................................................................................................

18、...............25第四章NiOxPt(100)外延薄膜的制備、微結(jié)構(gòu)表征和電阻開關(guān)特性研究..................................274.1不同生長溫度NiOxPt(100)薄膜的微結(jié)構(gòu)表征和阻變特性研究....................................274.1.1不同生長溫度制備的NiOxPt(100)薄膜XRD分析..........................

19、.......................274.1.2不同生長溫度制備的NiOxPt(100)薄膜SEM分析................................................284.1.3不同生長溫度制備的NiOxPt(100)薄膜電阻開關(guān)特性分析..................................294.2不同溫度退火處理后NiOx薄膜的微結(jié)構(gòu)表征和阻變特性研究...........