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文檔簡介
1、CdTe量子點(diǎn)和Au納米棒作為無機(jī)納米晶中極為重要且應(yīng)用功能廣泛的代表,其器件化既是廣泛應(yīng)用的基礎(chǔ)也是關(guān)注的熱點(diǎn)。如何使無機(jī)納米晶的器件化的過程更為簡便,性能更加優(yōu)良是具有較大意義的研究課題。
1.本文利用Langmuir-Blodgett膜技術(shù),設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了CdTe量子點(diǎn)/LDH LB膜復(fù)合體系,對(duì)比于傳統(tǒng)的以靜電作用為原理的層層組裝技術(shù),LB膜技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)薄膜厚度及內(nèi)部分子結(jié)構(gòu)的調(diào)控,利用LB膜拉膜機(jī),通過檢測成膜分子的π-
2、A曲線,控制成膜分子排列使其排布較規(guī)則且有序度高,所得薄膜能較好的聚合和高分子化,且制膜過程條件機(jī)械化高易操作。使用此方法制得的CdTe量子點(diǎn)/LDH LB薄膜作為發(fā)光薄膜,其熒光發(fā)光效率較高且呈線性增強(qiáng),熒光壽命長且量子產(chǎn)率穩(wěn)定,作為優(yōu)良的量子點(diǎn)器件,可應(yīng)用于溫度響應(yīng)、溶劑響應(yīng)、金屬離子檢測等各方面。LB膜技術(shù)作為制膜手段,可用于其他納米材料與水滑石等層狀材料的組裝工作中,其優(yōu)點(diǎn)及長處應(yīng)得到足夠的重視和廣泛的應(yīng)用,并可作為納米材料及高
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