FS結(jié)構(gòu)的3300V IGBT終端設(shè)計(jì).pdf

1、IGBT自誕生以來(lái)就以其優(yōu)異的性能和廣闊的應(yīng)用前景激勵(lì)著一代又一代工程師進(jìn)行探索和研究。截至目前為止，高壓IGBT的核心技術(shù)仍然掌握在國(guó)外少數(shù)幾家公司手中。國(guó)內(nèi)由于起步晚、工藝能力薄弱等原因一直處于追趕狀態(tài)。對(duì)于高壓IGBT而言，結(jié)終端的設(shè)計(jì)對(duì)于器件的耐壓以及可靠性都有重要的意義。
　　本研究主要內(nèi)容包括：⑴分析了功率器件的擊穿原理以及主流終端結(jié)構(gòu)的耐壓機(jī)制，綜合比較了各種終端結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)和不足。結(jié)合代工廠的工藝條件，最終選定了場(chǎng)限

2、環(huán)結(jié)合雙級(jí)場(chǎng)板這種終端結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)。⑵和代工廠協(xié)商制定工藝制造流程，仿真優(yōu)化得到終端的各項(xiàng)基本參數(shù)。并且在設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇了兩種不同的表面電場(chǎng)分布進(jìn)行設(shè)計(jì)對(duì)比。在此基礎(chǔ)上，結(jié)合代工廠給定的版圖設(shè)計(jì)規(guī)則制定版圖方案，完成了版圖的繪制，并交由代工廠流片。⑶對(duì)流片回來(lái)的芯片進(jìn)行測(cè)試，擊穿電壓達(dá)到4000V以上，滿足3300V的設(shè)計(jì)目標(biāo)。此外，我們挑選出一部分靜態(tài)測(cè)試參數(shù)較好的器件進(jìn)行高溫反偏考核?？己私Y(jié)果顯示，采用三角形電場(chǎng)分布的終端結(jié)構(gòu)的可