單片集成智能功率模塊ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)模型研究.pdf

1、近年來(lái)，單片集成智能功率模塊(IPM)因其高集成度、高可靠性、低成本等優(yōu)點(diǎn)被廣泛地應(yīng)用于家用電器、新能源交通等領(lǐng)域。單片集成IPM集成度高，管腳密集，受靜電泄放(ESD)沖擊的威脅大，因此需要一個(gè)復(fù)雜的ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)為模塊的各個(gè)管腳提供ESD保護(hù)。模型作為元器件與電路設(shè)計(jì)之間的橋梁，能夠有效簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)，提高設(shè)計(jì)成功率，因此研究單片集成智能功率模塊ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)模型，對(duì)指導(dǎo)ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)具有重要意義。
　　本文建立了一套完整的

2、單片集成智能功率模塊ESD保護(hù)網(wǎng)絡(luò)模型，包括低壓輸入網(wǎng)絡(luò)模型與高壓輸出網(wǎng)絡(luò)模型。低壓端口網(wǎng)絡(luò)建模主要針對(duì)低壓二極管，在理想二極管電流方程的基礎(chǔ)上，考慮了串聯(lián)電阻和雪崩擊穿的影響，建立了低壓端口網(wǎng)絡(luò)二極管模型，然后分析了器件二次擊穿產(chǎn)生機(jī)理，給出了模擬二次擊穿的仿真方法。高壓端口網(wǎng)絡(luò)建模主要包括SOI-FRD和SOI-LIGBT兩部分，其中SOI-FRD器件建模采用了低壓網(wǎng)絡(luò)二極管的建模思路;而SOI-LIGBT器件的建模則是基于器件的響