已閱讀1頁，還剩57頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著現(xiàn)代集成電路的發(fā)展，工藝特征尺寸越來越小，氧化層越來越薄，集成電路抗靜電能力也越來越差。對于深亞微米工藝集成電路來說，靜電的損害更加嚴(yán)重，所以必須在設(shè)計芯片時加入適當(dāng)?shù)撵o電放電(ElectrostaticDischarge-ESD)保護(hù)電路以減少靜電放電對芯片內(nèi)部的損傷。
本文綜合研究了當(dāng)前體硅CMOS工藝條件下ESD電路原理分析與設(shè)計、ESD測試方法、版圖實現(xiàn)等，利用在香港興華半導(dǎo)體工業(yè)有限公司實習(xí)的機(jī)會，利用其1.
2、2微米標(biāo)準(zhǔn)CMOS P阱工藝，設(shè)計了四套方案改進(jìn)其ESD保護(hù)，采用MPW流片，進(jìn)行實驗驗證工作。流片、封裝后，利用香港科學(xué)園SPAD中心(SemiconductorProduct Analysis and Design Enhancement Center)Thermo KeyTek ZAPMASTERMK2 ESD&Latch-up Test System靜電測試儀進(jìn)行抗靜電測試，經(jīng)測試四套方案均達(dá)到預(yù)期效果。通過流片比較了不同ESD
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- CMOS集成電路ESD保護(hù)研究.pdf
- CMOS集成電路的ESD防護(hù)研究.pdf
- cmos集成電路中的esd保護(hù)
- CMOS射頻集成電路片上ESD防護(hù)研究.pdf
- CMOS集成電路ESD保護(hù)技術(shù)的研究和設(shè)計.pdf
- 深亞微米高速CMOS集成電路的ESD研究.pdf
- 集成電路ESD失效機(jī)理和ESD防護(hù)電路研究.pdf
- CMOS集成電路片內(nèi)ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)研究與物理實現(xiàn).pdf
- 集成電路中ESD防護(hù)研究.pdf
- 納米集成電路ESD防護(hù)研究.pdf
- 集成電路cmos題庫
- 集成電路新型ESD防護(hù)器件研究.pdf
- 功率集成電路的ESD保護(hù)研究.pdf
- 集成電路的ESD防護(hù)技術(shù)研究.pdf
- CMOS工藝下集成電路內(nèi)部ESD保護(hù)電路結(jié)構(gòu)研究與可靠性分析.pdf
- 集成電路的典型ESD防護(hù)設(shè)計研究.pdf
- 集成電路系統(tǒng)級ESD防護(hù)研究.pdf
- 射頻集成電路的ESD防護(hù)技術(shù)研究.pdf
- 集成電路ESD防護(hù)低壓器件的仿真研究.pdf
- 集成電路的老化預(yù)測與ESD防護(hù)研究.pdf
評論
0/150
提交評論