抗輻照SRAM的研究與設(shè)計.pdf

1、集成電路工藝特征尺寸的不斷減小使存儲器對空間輻照環(huán)境下的單粒子效應(yīng)越來越敏感。研究存儲器的單粒子效應(yīng)，提高其抗單粒子效應(yīng)的能力，對提升存儲器的可靠性具有十分重要的意義。
　　本文首先論述了單粒子效應(yīng)相關(guān)的基本概念，簡要分析了傳統(tǒng)6管SRAM單元的基本工作原理。接著提出了一種新型的SRAM單元結(jié)構(gòu)，通過數(shù)據(jù)存儲節(jié)點與位線分離的方法消除了傳統(tǒng)6管SRAM單元由于分壓所引起的讀操作破壞問題，極大地提升了穩(wěn)定性。通過引入冗余節(jié)點的方法提升

2、了存儲單元抗單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的能力。當存儲單元中的節(jié)點在輻照作用下發(fā)生翻轉(zhuǎn)時，能夠在其他冗余存儲節(jié)點的反饋作用下迅速恢復，從而使存儲單元中的數(shù)據(jù)不會因為輻照效應(yīng)而被破壞。采用HSPICE對存儲單元正常的讀寫功能，讀操作速度、穩(wěn)定性以及功耗進行了仿真分析。對于SRAM單元的抗輻照特性，主要通過線性能量傳輸值（LET，linear energy transfer）來衡量。應(yīng)用Sentaurus TCAD工具通過混合仿真的方法，分析存儲單元在不