1、隨著電子產(chǎn)品微型化和高集成化的發(fā)展，在電子封裝中，元器件的焊點(diǎn)越來越小，而經(jīng)受的電流卻越來越大，電遷移現(xiàn)象時有發(fā)生，易導(dǎo)致元器件的失效，嚴(yán)重影響電子產(chǎn)品的壽命。經(jīng)研究發(fā)現(xiàn)界面金屬間化合物是影響無鉛焊點(diǎn)可靠性的關(guān)鍵因素。由于溫度、磁場、電流對界面金屬間化合物的生長都有影響，目前電遷移的研究主要集中在單一電流或者溫度和電流共同作用下的研究，而對溫度、電流、磁場共同作用下的電遷移行為研究還未見報道，因此研究多場作用下電遷移行為非常有必要。
2、r> 本文以商用Sn3.0Ag0.5Cu釬料合金為參照系，自主研制了電遷移多場加載測試裝置，研究了不同因素對電遷移的影響，研究表明：高電流密度下，焦耳熱會使焊點(diǎn)的溫度升高，加劇焊點(diǎn)電遷移行為的發(fā)生，導(dǎo)致陽極界面化合物顯著增加，陰極界面化合物先減少后增加。添加硅油后48h陽極界面金屬間化合物只增加了8.8μm，而未添加硅油時，陽極界面金屬間化合物增加了21.4μm。硅油可以有效消除電流的熱效應(yīng)，保證實(shí)驗的準(zhǔn)確性。結(jié)果表明，在溫度為150
3、℃、磁場為0.4T作用下，高電流密度和低電流密度產(chǎn)生的電遷移現(xiàn)象劇烈程度有所不同。高電流密度和低電流密度下陽極界面化合物的厚度均會增加，且電流密度越大，厚度的增加量也越大。在高電流密度下，陰極界面化合物逐漸減少，且電流密度越大，陰極界面化合物減少的越快；而低密度電流作用下，陰極界面化合物不僅沒有減少，反而增加了，且電流密度越高，陰極界面化合物的厚度增加的越少。研究了電流密度為0.8×104A/cm2，磁場強(qiáng)度為0.4T，溫度分別為120
