GaSb材料Si基外延及物性研究.pdf_第1頁(yè)
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1、本文討論了目前GaSb材料的優(yōu)點(diǎn)及存在的問(wèn)題，并將其進(jìn)行兩個(gè)部分進(jìn)行研究：第一部分為Si基GaSb薄膜的異質(zhì)外延，第二部分為GaSb的電學(xué)、光學(xué)特性的測(cè)量及研究。
　　在第一部分中，主要利用MBE在富Sb條件下獲得GaSb材料。實(shí)驗(yàn)中分別改變溫度和束流比等條件來(lái)對(duì)比GaSb材料的質(zhì)量。實(shí)驗(yàn)分析表明，生長(zhǎng)溫度、速率、Ⅴ/Ⅲ束流比分別為530℃、0.8ML/s、8是最佳生長(zhǎng)條件。
　　在第二部分中，利用 XRD對(duì) GaSb生長(zhǎng)特

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