碲化鉍基低維結構的制備及物性研究.pdf

1、采用溶劑熱方法，以氯化鉍（BiCl3）為鉍（Bi）源，硒（Se）粉、碲（Te）粉為Se源和Te源，二亞乙基三胺（DIEN）為溶劑，制備了Bi2(Te1-xSex)3三元系納米片（x在0-1范圍內可調）。掃描電子顯微鏡（SEM）和X射線衍射儀（XRD）測試結果顯示所合成的樣品為三方晶系Bi2(Te1-xSex)3納米片，厚度可薄至幾納米。高分辨透射電鏡（HRTEM）和選區(qū)電子衍射（SAED）測試結果顯示該納米片為單晶三方晶系結構。能量色散

2、譜（EDS）測試和XRD分析表明得到了三元合金B(yǎng)i2(Te1-xSex)3納米片。分析認為氨基分子作為模板劑引導納米片的形成。對所得樣品進行電化學性能測試，結果顯示Bi2(Te1-xSex)3納米片有一定的鋰離子電池充放電性能。對樣品的熱電性能測試顯示，賽貝克系數(shù)測試數(shù)據(jù)均為負值可知所制備的Bi2(Te1-xSex)3納米片均為N型半導體。熱電優(yōu)值（ZT）結果顯示，兩個三元系Bi2(Te1-xSex)3納米片的熱電優(yōu)值均高于其余兩個二元

3、系Bi2(Te1-xSex)3的熱電優(yōu)值，其中Bi2(Te0.67Se0.33)3的熱電優(yōu)值最高，在439K時，達到0.79。說明合金化摻雜能夠提高材料的熱電性能。
　　采用真空熱蒸發(fā)鍍膜法，以Bi2Te3粉末為蒸發(fā)源，硅片（[100]晶向）為襯底，生長出具有規(guī)則外形的Bi2Te3拓撲絕緣體納米片和連續(xù)薄膜。SEM及XRD測試結果分析可知，實現(xiàn)了生長可控的高取向Bi2Te3薄膜的生長。原子力顯微鏡（AFM）測試分析顯示，所生長的B