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文檔簡介
1、隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)的快速發(fā)展,實現(xiàn)極大規(guī)模集成電路芯片制造的光刻設(shè)備對產(chǎn)率、線寬、套刻精度等技術(shù)指標(biāo)提出了越來越高的要求,與之而來的是為實現(xiàn)高產(chǎn)片率的高加速度要求與實現(xiàn)高套刻精度的高定位精度要求之間的矛盾問題。為解決光刻機(jī)工件臺高加速度與高定位精度的問題,工件臺引入了平衡質(zhì)量技術(shù),其主要功能是在高加速度的條件下削弱機(jī)內(nèi)振動,提高硅片臺運動定位精度。工件臺補(bǔ)償系統(tǒng)結(jié)構(gòu)復(fù)雜,運動單元多,為達(dá)到硅片臺的定位精度要求,必須對運動單元進(jìn)行誤差傳遞
2、分析,找出對位移測量結(jié)果影響較大的誤差源,并進(jìn)行誤差補(bǔ)償,以提高硅片臺測量精度。
本文以由平衡質(zhì)量塊、宏動單元、硅片臺單元組成的工件臺補(bǔ)償系統(tǒng)為研究對象,建立了補(bǔ)償系統(tǒng)三自由度位移測量模型,并對各運動單元誤差源作用機(jī)理進(jìn)行分析,建立綜合誤差傳遞模型,通過仿真與實驗對測量結(jié)果進(jìn)行驗證。論文主要研究內(nèi)容如下:
(1)基于工件臺補(bǔ)償系統(tǒng)機(jī)械結(jié)構(gòu)組成,建立平衡質(zhì)量塊相對于支撐框架三自由度位移測量模型,宏動單元相對于平衡質(zhì)量塊
3、三自由度位移測量模型,硅片臺相對于宏動單元三自由度測量模型,最終給出硅片臺在基臺坐標(biāo)系下的位置信息;根據(jù)測量傳感器布局,建立平衡質(zhì)量塊、宏動單元的三自由度位移測量數(shù)學(xué)模型,并針對平衡質(zhì)量塊三自由度位移測量模型提出修正方案,對安裝誤差進(jìn)行補(bǔ)償。
(2)基于多體系統(tǒng)理論和儀器精度理論,建立在各誤差源綜合作用的情況下補(bǔ)償系統(tǒng)的誤差傳遞模型,找出影響各運動單元位移測量結(jié)果的誤差源,并通過分析每個誤差源的作用機(jī)理,以幾何誤差向量的形式給
4、出各誤差源對支撐框架、平衡質(zhì)量塊、宏動單元等剛體空間姿態(tài)六自由度方向位移影響程度,并建立了平衡質(zhì)量塊、宏動單元的三自由度位移測量結(jié)果的不確定度評估模型。
(3)通過仿真實驗等方法獲得了支撐框架、平衡質(zhì)量塊、宏動單元等各運動鏈間誤差源的相關(guān)參數(shù),給出了各誤差源對相應(yīng)運動單元測量結(jié)果的影響程度,并對平衡質(zhì)量塊、宏動單元三自由度位移測量結(jié)果進(jìn)行了不確定度評定計算,給出了測量結(jié)果的擴(kuò)展不確定度;對補(bǔ)償系統(tǒng)“H”型驅(qū)動導(dǎo)軌進(jìn)行了動力學(xué)仿
5、真,給出了宏動單元加速運動過程中的動態(tài)誤差,為后續(xù)誤差傳遞模型的綜合計算提供了相關(guān)參數(shù)。
(4)針對平衡質(zhì)量塊三自由度位移測量模型搭建實驗裝置進(jìn)行驗證,并將測量結(jié)果與激光位移傳感器和光電自準(zhǔn)直儀示數(shù)進(jìn)行比較,實驗結(jié)果表明在0~10mm運動范圍內(nèi),平衡質(zhì)量塊x向、y向測量誤差均小于35μm,Rz向測量誤差小于17μrad。
(5)針對補(bǔ)償系統(tǒng)整體的三自由度位移測量結(jié)果及其不確定度進(jìn)行了蒙特卡洛法驗證,針對激光干涉儀執(zhí)行
6、清零操作時,通過蒙特卡洛法對硅片臺在基臺坐標(biāo)系下的位移測量結(jié)果進(jìn)行了不確定度評定,在各種誤差綜合作用的情況下,在置信概率95%下,硅片臺相對于基臺的x向和y向位移輸出結(jié)果及其擴(kuò)展不確定度分別為:x=(165.000±0.064)mm,y=(195.000±0.054)mm。
綜上,本文提出了補(bǔ)償系統(tǒng)三自由度位移測量模型和誤差傳遞模型,獲得了各誤差源對相應(yīng)運動單元空間姿態(tài)六自由度影響程度,通過蒙特卡洛法,對在各誤差源綜合作用的情
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