高速數(shù)字系統(tǒng)中電源噪聲的抑制方法.pdf

1、最近幾年,電子系統(tǒng)向著更快邊沿速率和更低供電電壓的趨勢發(fā)展,造成電壓噪聲容限下降,使得以同時(shí)開關(guān)噪聲(SSN)為主的電源噪聲,成為電子工程師關(guān)注的重點(diǎn)。這種噪聲作為一種電磁信號(hào)源會(huì)沿著PCB板電源地平面諧振腔向板四周傳播。當(dāng)有信號(hào)通過過孔穿過此諧振腔時(shí),噪聲會(huì)耦合到這一信號(hào)上,從而引發(fā)信號(hào)完整性問題。特別是當(dāng)大量高速驅(qū)動(dòng)器同時(shí)動(dòng)作時(shí),這種影響會(huì)更為嚴(yán)重。
　　為了降低這種影響,一些緩和SSN噪聲效應(yīng)的傳統(tǒng)方法被提了出來,諸如添加分

2、立旁路電容器,植入嵌入式去耦電容器,電源平面分割以及電源島,板邊緣匹配端接等。然而這些方法抑制帶寬太窄不適用于高頻噪聲或者成本太高不能被廣泛采用。于是,一種新型結(jié)構(gòu)—電磁帶隙(EBG)結(jié)構(gòu)被提了出來。
　　鑒于EBG結(jié)構(gòu)對(duì)于SSN的良好抑制特性,本文基于平面型EBG結(jié)構(gòu),提出一種新型的選擇性內(nèi)插式 EBG結(jié)構(gòu)以增強(qiáng)對(duì) SSN的抑制。這種結(jié)構(gòu)在周期性L-bridge EBG結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,在電源端口所在單元內(nèi)插ML-bridge EB