基于LabVIEW的垂直磁各向異性MTJ測(cè)試系統(tǒng)研究.pdf

1、作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)技術(shù),磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM(Magnetic Random Access Memory）因?yàn)槠涓呒啥?、低功耗、高速讀寫能力等優(yōu)點(diǎn)而受到各界的廣泛關(guān)注。經(jīng)過十多年的演變磁性隨機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)的核心已經(jīng)發(fā)展到一種稱作MTJ（Magnetic tunnel junction）的結(jié)構(gòu)，它能夠在外加磁場(chǎng)方向變化的情況下基于電子發(fā)生隧穿磁電阻效應(yīng)而使得MTJ在宏觀上呈現(xiàn)高阻和低阻兩種狀態(tài)。因此開發(fā)能夠測(cè)試MTJ在外加磁場(chǎng)變化

2、下電阻變化的測(cè)試系統(tǒng)顯得尤為必要。
　　本文重點(diǎn)研究并開發(fā)了基于LabVIEW的垂直磁各向異性MTJ測(cè)試系統(tǒng)。論文首先介紹了垂直磁各向異性MTJ測(cè)試系統(tǒng)的開發(fā)背景與意義，虛擬儀器開發(fā)技術(shù)以及圖形化編程語言LabVIEW的突出特點(diǎn)。然后簡(jiǎn)述作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器核心器件的MTJ的工作原理，描述了LabVIEW程序的組成結(jié)構(gòu)與開發(fā)流程。接著詳細(xì)描述測(cè)試系統(tǒng)的硬件組成與架構(gòu)，測(cè)試系統(tǒng)的軟件程序?qū)y(cè)試工作的流程控制。結(jié)尾部分還給出了使用這套測(cè)