IGBT近場電磁騷擾特征的研究.pdf

1、電力電子裝置的高頻化和大容量化不僅使器件增加了電應(yīng)力和損耗，而且對周圍環(huán)境會(huì)產(chǎn)生電磁騷擾，甚至可能會(huì)對其本身及其控制電路的正常工作產(chǎn)生影響。如換流站中換流閥的周期性導(dǎo)通和關(guān)斷過程會(huì)產(chǎn)生寬頻電磁噪聲，這類噪聲會(huì)對二次系統(tǒng)產(chǎn)生電磁騷擾。換流閥中絕緣柵雙極晶體管(Insulatedgate bipolar transistor，IGBT)的電磁騷擾特征是本文的研究重點(diǎn)。本文分析了IGBT電磁騷擾的主要來源，建立了IGBT行為特性模型，分階段研

2、究了IGBT開通及關(guān)斷過程，并采用基于有限積分法的CST軟件對IGBT開關(guān)瞬態(tài)進(jìn)行電磁騷擾仿真。在仿真軟件中建立相應(yīng)實(shí)體有限積分模型，對IGBT的自身電磁場分布情況及其近場特性進(jìn)行了定量分析，得到對應(yīng)自身的電磁場分布。再對由八個(gè)IGBT串聯(lián)構(gòu)成的單個(gè)閥段進(jìn)行建模，分析其動(dòng)作過程中產(chǎn)生的電磁騷擾情況。依據(jù)建模仿真計(jì)算數(shù)據(jù)對瞬態(tài)電磁騷擾的時(shí)域特征和頻域特征作了系統(tǒng)的分析，得到了瞬態(tài)電磁騷擾的總體特征。并采用近場探頭和電磁干擾接收機(jī)對單個(gè)IG