片上多層電感的參數(shù)計算模型與干擾分析.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來,大量的片上電感研究成果不斷涌現(xiàn),片上多層電感作為一種新型的電感結構,對于實現(xiàn)低功耗和小面積的芯片有著積極作用,然而現(xiàn)今對片上多層電感的參數(shù)和干擾分析的研究并不是很充分。
　　為了解決上述問題,本文提出了一個利用片上多層電感的物理模型來精確計算直流電感參數(shù)的方法。在這個物理模型中,所有的電感尺寸參數(shù)(包括金屬層厚度和層間間距)都被考慮到。本文利用此方法計算了一系列完整的具有不同尺寸參數(shù)的片上多層電感的電感值和它們之間的耦合系

2、數(shù)(計算值),同時,在ADSmomentum中通過EM仿真得出片上多層電感的電感值和電感間的耦合系數(shù)(仿真值),通過比較計算值和仿真值的誤差來驗證這個方法的準確性。結果表明,電感值的計算值和仿真值之間的誤差通常在3％以內(nèi),而耦合系數(shù)的計算值和仿真值之間的誤差通常在2%以內(nèi)。這說明本文中利用片上多層電感的物理模型來計算電感參數(shù)的方法具有較高精度,適用于片上多層電感的分析和設計。另外,由于這個方法基于物理模型的特性,它是可以擴展的。

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